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公开(公告)号：CN109841476A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811440918.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246740B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910161642.2
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。
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公开(公告)号：CN113097044B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202011578696.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 须川直树
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供载置台和等离子体处理装置。能够用一个密封构件保护高度不同的多个粘接层。载置台具有第1载置部、第2载置部、第1粘接层、第2粘接层以及密封构件。第1载置部用于载置基板。第2载置部低于第1载置部，用于载置包围基板的周缘的边缘环。第1粘接层粘接基台和第1载置部。第2粘接层粘接基台和第2载置部。密封构件在比第1粘接层靠上侧的位置与第1载置部接触，在比第2粘接层靠上侧的位置与第2载置部接触，并通过变形将第1载置部与第2载置部之间堵塞。
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公开(公告)号：CN109841476B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811440918.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
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公开(公告)号：CN113097044A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011578696.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 须川直树
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供载置台和等离子体处理装置。能够用一个密封构件保护高度不同的多个粘接层。载置台具有第1载置部、第2载置部、第1粘接层、第2粘接层以及密封构件。第1载置部用于载置基板。第2载置部低于第1载置部，用于载置包围基板的周缘的边缘环。第1粘接层粘接基台和第1载置部。第2粘接层粘接基台和第2载置部。密封构件在比第1粘接层靠上侧的位置与第1载置部接触，在比第2粘接层靠上侧的位置与第2载置部接触，并通过变形将第1载置部与第2载置部之间堵塞。
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公开(公告)号：CN110246740A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161642.2
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。
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