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公开(公告)号：CN1310292C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN01816762.4
申请日：2001-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32743 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01L21/67126
Abstract: 使装置的维修更加容易，能够延长维修周期，提高产出率。处理室(2)和预真空室(3)由在壁上形成的搬送口(20)连接。在搬送口(20)的内壁，设置有由多个部件构成的、自由装卸的闸门衬套(100)。在进行搬送口内壁的维修时，能够只把闸门衬套(100)取出而容易进行洗净、更换。在闸门衬套(100)的表面和闸阀(4)的覆盖搬送口(20)的部分表面上施有由耐等离子体腐蚀性高的稀土类氧化物喷镀被覆膜形成的绝缘被覆膜(200、300)。因此，这些表面难以被等离子体损伤，可以降低金属的污染和粉尘的产生。
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公开(公告)号：CN101546724B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910127054.3
申请日：2009-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供一种在具有由导电体层以及夹着导电体层的绝缘层构成的层叠构造的静电卡盘的周围所形成的陶瓷喷镀膜与基材具有良好的粘接性，并且在操作时，即使外部冲击力作用于静电卡盘，喷镀膜也不易破损的静电卡盘。本发明的静电卡盘是包括被绝缘体层夹着的金属层的层叠构造的静电卡盘，在上述金属层周边的露出部分上形成的凹部通过绝缘性喷镀膜而被覆盖。该静电卡盘的喷镀膜，优选至少将露出于上述凹部内侧的上述金属层覆盖，且以不从上述凹部突出的方式进行覆盖。由此，能够防止金属层漏电以及金属层腐蚀，并且在操作时即使外部冲击力作用于喷镀膜，也能够防止喷镀膜的破损。
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公开(公告)号：CN101527262B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910008928.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10)，具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29)，该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34)，加热层(33)全面覆盖电极层(33)，并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32)，在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。
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公开(公告)号：CN101546724A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910127054.3
申请日：2009-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , Y10T29/49986 , Y10T279/23
Abstract: 本发明提供一种在具有由导电体层以及夹着导电体层的绝缘层构成的层叠构造的静电卡盘的周围所形成的陶瓷喷镀膜与基材具有良好的粘接性，并且在操作时，即使外部冲击力作用于静电卡盘，喷镀膜也不易破损的静电卡盘。本发明的静电卡盘是包括被绝缘体层夹着的金属层的层叠构造的静电卡盘，在上述金属层周边的露出部分上形成的凹部通过绝缘性喷镀膜而被覆盖。该静电卡盘的喷镀膜，优选至少将露出于上述凹部内侧的上述金属层覆盖，且以不从上述凹部突出的方式进行覆盖。由此，能够防止金属层漏电以及金属层腐蚀，并且在操作时即使外部冲击力作用于喷镀膜，也能够防止喷镀膜的破损。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246740A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910161642.2
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。
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公开(公告)号：CN101527262A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910008928.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室(17)的基板处理装置(10)，具有与载置半导体晶片(W)且向处理室(17)内施加高频电压的基座(12)相对设置的作为上部电极单元的喷淋头(29)，该喷淋头(29)具有从处理室(17)侧依次设置的暴露在处理室(17)内的电极层(32)、加热层(33)以及冷却层(34)，加热层(33)全面覆盖电极层(33)，并且冷却层(34)通过加热层(33)全面覆盖电极层(32)，在加热层(33)以及冷却层(34)之间配置有填充了传热气体的传热层(36)。
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公开(公告)号：CN110246740B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910161642.2
申请日：2019-03-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明目的在于提供一种被处理体的载置装置，具有使边缘环与载置台稳定地接触的结构。该载置装置包括：在处理容器的内部载置被处理体的载置台；边缘环，其在上述被处理体的外周部载置在上述载置台，形成有卡止部；导电性的连接部，其通过上述卡止部与上述边缘环连接；和第一接触部，其在使上述边缘环与该连接部连接的状态下使上述边缘环与上述载置台接触。
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公开(公告)号：CN1468444A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN01816762.4
申请日：2001-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32743 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01L21/67126
Abstract: 使装置的维修更加容易，能够延长维修周期，提高产出率。处理室(2)和预真空室(3)由在壁上形成的搬送口(20)连接。在搬送口(20)的内壁，设置有由多个部件构成的、自由装卸的闸门衬套(100)。在进行搬送口内壁的维修时，能够只把闸门衬套(100)取出而容易进行洗净、更换。在闸门衬套(100)的表面和闸阀(4)的覆盖搬送口(20)的部分表面上施有由耐等离子体腐蚀性高的稀土类氧化物喷镀被覆膜形成的绝缘被覆膜(200、300)。因此，这些表面难以被等离子体损伤，可以降低金属的污染和粉尘的产生。
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公开(公告)号：CN3233622D
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01321804.2
申请日：2001-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Designer： 肥田刚
Abstract: 省略后视图、左视图、右视图。
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