公开(公告)号：CN108866508A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810447691.8

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 高藤哲也 ,  内田博章 ,  渡边幸夫 ,  里吉务 ,  佐佐木和男 ,  吉田守

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。

公开(公告)号：CN119685801A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411719350.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边幸夫 ,  高藤哲也 ,  内田博章 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458

Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为100℃以下。

公开(公告)号：CN108866508B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810447691.8

申请日：2018-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 高藤哲也 ,  内田博章 ,  渡边幸夫 ,  里吉务 ,  佐佐木和男 ,  吉田守

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。

公开(公告)号：CN117529135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310906838.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田直希 ,  宫内国男 ,  内田博章 ,  飨场康

IPC: H10K50/844 ,  H10K71/00 ,  H10K59/10

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：工序(A)，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成第二无机绝缘膜的掩模；工序(B)，在工序(A)之后，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(C)，在工序(B)之后，在第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成第二无机绝缘膜和第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(D)，在工序(C)之后，进行经由层叠膜掩模来去除有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于第二蚀刻中的该选择比。

公开(公告)号：CN114517289A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111318553.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边幸夫 ,  高藤哲也 ,  内田博章 ,  佐藤吉宏

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。

公开(公告)号：CN102301460A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006085.4

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩田辉夫 ,  桑嶋亮 ,  网仓学 ,  桥本毅 ,  内田博章

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。

公开(公告)号：CN101529565A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040077.X

申请日：2007-10-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内田博章 ,  高桥毅

IPC: H01L21/316 ,  H01L27/108 ,  C23C16/56 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10873 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法。该高电介质膜的形成方法包括：在基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜的工序；和在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序。另外，半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上使用有机金属原料以350℃以下的温度通过ALD或CVD形成高电介质膜作为栅极绝缘膜的工序；在低压的含氧气氛中向高电介质膜照射紫外线，使膜中的氢脱离的工序；和在高电介质膜之上形成栅极电极的工序。