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公开(公告)号：CN115777029A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180045862.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: C23C16/448
Abstract: 本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。
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公开(公告)号：CN107683346B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580080986.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使含有氧化铝形成用的反应助剂的反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。并且，经由路径(L1)和(L2)向设置于反应容器(11)内的喷嘴(12)供给原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)。然后，在喷嘴(12)内使原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)，向处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN107683347B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201580080989.4
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 高知县公立大学法人 , 国立大学法人京都大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。经由相互独立的路径L1和L2将得到的原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)供给到混合容器(8)中后，在混合容器(8)内，将原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)。并且，在与混合容器(8)独立地设置的反应容器(11)内，向在大气压下处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN110383050A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015374.7
申请日：2018-03-02
Abstract: 实施方式的检查系统具有：照明部，其以如下方式依次对多个条纹图案进行切换而输出，该方式是，在使第1条纹图案移动1个周期的量之后，无缝地使第2条纹图案移动1个周期的量；第1信号输出部，其向照明部输出触发多个条纹图案的输出开始的第1信号；第2信号输出部，其向照明部输出触发多个条纹图案的切换的第2信号；图像数据取得部，其通过在基于第1信号的时刻开始使从图像传感器输出的帧重叠，而取得时间相关图像数据；图像生成部，其根据时间相关图像数据生成仅与第1条纹图案对应的第1时间相关图像和仅与第2条纹图案对应的第2时间相关图像；以及异常检测部，其根据第1时间相关图像和第2时间相关图像，对检查对象面的异常进行检测。
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公开(公告)号：CN105121699B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380075709.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C18/1216 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种能够实现所形成的膜密度的提高的成膜方法。对此，在本发明的成膜方法中，通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在基板上形成膜。接下来，中断成膜工序。接下来，向基板照射等离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106461568A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580017606.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 高知县公立大学法人
IPC: G01N21/88
Abstract: 实施方式的检查系统具有：面方式的照明部，其赋予光强度的周期性的时间变化和空间变化；时间相关图像生成部，其通过时间相关照相机或进行与其等效的动作的摄像系统生成时间相关图像；以及运算处理部，其根据时间相关图像计算与检查对象面的法线向量的分布对应的特征，该特征是通过与周围的不同和与参照表面的不同中的至少一方来检测异常的特征。
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公开(公告)号：CN105489655A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510633441.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN105489655B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510633441.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
IPC: H01L29/786 , H01L29/36 , H01L21/34
Abstract: [课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN106461568B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201580017606.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 高知县公立大学法人
IPC: G01N21/88
Abstract: 实施方式的检查系统具有：面方式的照明部，其赋予光强度的周期性的时间变化和空间变化；时间相关图像生成部，其通过时间相关照相机或进行与其等效的动作的摄像系统生成时间相关图像；以及运算处理部，其根据时间相关图像计算与检查对象面的法线向量的分布对应的特征，该特征是通过与周围的不同和与参照表面的不同中的至少一方来检测异常的特征。
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公开(公告)号：CN108866508A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447691.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
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