公开(公告)号：CN119343011A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410920879.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 里吉务 ,  神户乔史 ,  太田直希

IPC: H10K59/80 ,  H10K59/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。一种基板处理方法，对基板进行处理，在所述基板中，在所述基板的表面上配置有多个第一电极层以及包围所述第一电极层且相比于该第一电极层向上方突出的绝缘层，在各个所述第一电极层上形成有发光层，以覆盖所述发光层和所述绝缘层的方式形成有第二电极层，形成有覆盖所述第二电极层的临时密封膜，在所述临时密封膜上形成有掩模，该基板处理方法包括以下工序：工序(A)，使用所述掩模至少去除所述临时密封膜和第二电极层各自的位于所述绝缘层上的部分；以及工序(B)，形成覆盖所述临时密封膜和所述第二电极层各自的上表面以及通过所述工序(A)而形成的侧端面的密封膜。

公开(公告)号：CN117529135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310906838.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田直希 ,  宫内国男 ,  内田博章 ,  飨场康

IPC: H10K50/844 ,  H10K71/00 ,  H10K59/10

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：工序(A)，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成第二无机绝缘膜的掩模；工序(B)，在工序(A)之后，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(C)，在工序(B)之后，在第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成第二无机绝缘膜和第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(D)，在工序(C)之后，进行经由层叠膜掩模来去除有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于第二蚀刻中的该选择比。