公开(公告)号：CN102301460A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006085.4

申请日：2010-01-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩田辉夫 ,  桑嶋亮 ,  网仓学 ,  桥本毅 ,  内田博章

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565

Abstract: 成膜装置(100)具备：收容晶片(W)的腔室(1)；在腔室(1)内载置晶片(W)的载置台(2)；在载置台(2)上加热晶片(W)的加热器(5a、5b)和；设置为与载置台(2)对向，向晶片(W)排出成膜用的处理气体的主体由铝或铝合金构成的喷淋板(12)，其是在晶片(W)的表面，形成在成膜温度下热膨胀率比喷淋板(12)的主体(13)的热膨胀率低5×10-6/℃以上的膜的装置，喷淋板(12)在与主体(13)的载置台(2)相对的表面形成有厚度为10μm以上的阳极氧化被膜(14)。

公开(公告)号：CN1266308C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03800913.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横井裕明 ,  善光哲 ,  芦泽宏明 ,  桥本毅

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

Abstract: 半导体处理用的成膜方法包括：在将被处理基板(W)搬入处理室中之前，利用预涂敷被覆载置台(32)的预涂敷工序；在预涂敷工序后，将被处理基板(W)搬入处理室(21)中，在被处理基板(W)上形成主膜的成膜工序。预涂敷工序通过多次重复第1和第2工序，叠加多个弧形膜，形成预涂敷。在第1工序中，将第1和第2处理气体向处理室(21)中提供，在载置台(32)上形成包含金属元素的弧形膜。在第2工序中，将不包含金属元素的第2处理气体提供给处理室(21)中，将在第1工序中生成的形成弧形膜成分之外的副生成物，通过排气从处理室(21)中除去。

公开(公告)号：CN1853259A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200480026871.5

申请日：2004-09-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  桥本毅

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 在本发明的基板处理方法和基板处理装置中，用被活化的NF3气体除去在MOSFET(11)的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表层上形成的自然氧化膜，在已除去该自然氧化膜的栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的表面上形成Co膜(91)，对该MOSFET进行低温退火，以使该Co膜(91)与栅极(21)、源极(15)和漏极(17)的硅化合物反应，从而在该硅化合物的表层上形成金属硅化物层。因此，能够提供一种不需要受热历程会对基板中杂质的分布产生不利影响的高温退火的处理方法。

公开(公告)号：CN1547624A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN03800913.7

申请日：2003-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 横井裕明 ,  善光哲 ,  芦泽宏明 ,  桥本毅

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

Abstract: 半导体处理用的成膜方法包括：在将被处理基板(W)搬入处理室中之前，利用预涂敷被覆载置台(32)的预涂敷工序；在预涂敷工序后，将被处理基板(W)搬入处理室(21)中，在被处理基板(W)上形成主膜的成膜工序。预涂敷工序通过多次重复第1和第2工序，叠加多个弧形膜，形成预涂敷。在第1工序中，将第1和第2处理气体向处理室(21)中提供，在载置台(32)上形成包含金属元素的弧形膜。在第2工序中，将不包含金属元素的第2处理气体提供给处理室(21)中，将在第1工序中生成的形成弧形膜成分之外的副生成物，通过排气从处理室(21)中除去。