公开(公告)号：CN119947549A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411489393.7

申请日：2024-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫内国男

IPC: H10K71/20 ,  H10K71/00 ,  H10K59/10

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够提高生产率。基板处理方法包括以下工序：工序(A)，准备基板，所述基板具有多个电极在基板表面配置而成的电极阵列；工序(B)，在所述电极阵列的整体形成发光层、电极层以及第一密封层；工序(C)，在多个所述电极中的一个种类的电极上且所述第一密封层上形成掩模；工序(D)，使用所述掩模对所述基板实施蚀刻处理，来形成层叠有所述一个种类的电极、所述发光层、所述电极层以及所述第一密封层的层叠体；工序(E)，在所述电极阵列的整体形成第二密封层；以及工序(F)，对所述基板实施各向异性蚀刻处理，来形成覆盖所述层叠体的侧壁的所述第二密封层。

公开(公告)号：CN117529135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310906838.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田直希 ,  宫内国男 ,  内田博章 ,  飨场康

IPC: H10K50/844 ,  H10K71/00 ,  H10K59/10

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：工序(A)，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成第二无机绝缘膜的掩模；工序(B)，在工序(A)之后，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(C)，在工序(B)之后，在第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成第二无机绝缘膜和第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(D)，在工序(C)之后，进行经由层叠膜掩模来去除有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于第二蚀刻中的该选择比。

公开(公告)号：CN115565872A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210702924.0

申请日：2022-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫内国男

IPC: H01L21/3213 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高半导体器件的特性的半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：利用由Cl类气体构成的第一处理气体形成的等离子体，对氧化物半导体的上层的导电体层进行蚀刻的步骤；和利用由Ar气体构成的第二处理气体形成的等离子体，除去在上述氧化物半导体的沟道区域中形成的损伤层的步骤。

公开(公告)号：CN116779437A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310209034.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 依田悠 ,  天野洋一 ,  伊藤毅 ,  若林孝德 ,  安友淳志 ,  松井久 ,  宫内国男

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供将附着于基片的物质高效地除去的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法进行基片的后处理，上述基片具有金属膜，并利用含氯的蚀刻等离子体对上述金属膜实施了蚀刻处理，上述基片处理方法包括：步骤a，将上述基片送入用于进行上述后处理的后处理腔室，并载置于配置在上述后处理腔室的内部的载置台；步骤b，对上述后处理腔室供给水蒸气，对上述基片实施利用上述水蒸气的处理；和步骤c，对上述后处理腔室从设置于上述后处理腔室的外部的后处理等离子体源供给后处理等离子体，对上述基片实施利用上述后处理等离子体的处理。

公开(公告)号：CN102349136A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011199.8

申请日：2010-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松井英章 ,  守屋刚 ,  西村荣一 ,  河口慎一 ,  山涌纯 ,  宫内国男

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/14 ,  B08B7/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法，其能够以简单的装置构造实施，用于以短时间对形成有微细图案的基板进行清洗，并不会对该微细图案坏带来影响。从对晶片(W)的表面实施规定的加工的处理腔室向实施晶片(W)的清洗的清洗腔室输送晶片(W)，在清洗腔内将晶片(W)冷却到规定温度，将作为超流体的超流动氦供给到晶片(W)的表面，从晶片(W)的表面使超流动氦流出，由此冲走微细图案内的污染成分。