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公开(公告)号：CN100454143C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510062425.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0048 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 本发明提供一种能够形成具有出色形状的抗蚀图形的正型抗蚀剂组合物。该组成物是把基础树脂成分(A)和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)溶解到有机溶剂而成的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂成分(A)是硅酮树脂，所述有机溶剂含有丙二醇单甲基醚(x1)和沸点高于该丙二醇单甲基醚的溶剂(S2)。
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公开(公告)号：CN1720485A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104698.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , H01L21/027
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并,在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN1677235A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062432.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0757 , Y10S430/115 , Y10S430/122
Abstract: 本发明提供掩模线性优异的正型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物为含有基础树脂组分(A)、通过曝光产生酸的酸发生剂组分(B)的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂组分(A)是硅树脂，所述酸发生剂组分(B)含有以碳数3或4的全氟烷基磺酸根离子为阴离子的鎓盐类酸发生剂(B1)。
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公开(公告)号：CN1782872A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510120497.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN1424626A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02153815.8
申请日：2002-12-02
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/091
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶图案的形成方法，该方法是在基板上形成含有由曝光产生酸的酸发生剂的光刻胶膜，在该光刻胶膜上层合含有含氟酸性化合物的防反射膜，之后进行选择性的曝光，显影，形成光刻胶图案，其特征在于，选择性使用上述酸发生剂和含氟酸性化合物，使在光刻胶膜中因曝光由酸发生剂产生的酸的酸强度高于防反射膜中含氟酸性化合物的酸强度。提供了在图案间距离为0.25μm以下的极微细图案的形成中形成剖面良好的光刻胶图案的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1732409A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107529.3
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 正性抗蚀剂组合物，它包括树脂组分(A)和酸生成剂组分(B)，所述组分(A)包括在酸作用下其碱溶性增加的可酸解溶解抑制基团，而所述组分(B)在曝光时产生酸，其中树脂组分(A)为包括衍生自羟基苯乙烯的第一结构单元(a1)和衍生自含醇式羟基的(甲基)丙烯酸酯的第二结构单元(a2)的共聚物，其中在结构单元(a1)内的羟基和结构单元(a2)内的醇式羟基的总量的10摩尔％或更多以及25摩尔％或更少用可酸解溶解抑制基团保护，而共聚物用可酸解溶解抑制基团保护之前的重均分子量为2,000－8,500。
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公开(公告)号：CN1677234A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062425.6
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0048 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12
Abstract: 本发明提供一种能够形成具有出色形状的抗蚀图形的正型抗蚀剂组合物。该组成物是把基础树脂成分(A)和因曝光而产生酸的产酸剂成分(B)溶解到有机溶剂而成的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂成分(A)是硅酮树脂，所述有机溶剂含有丙二醇单甲基醚(x1)和沸点高于该丙二醇单甲基醚的溶剂(S2)。
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公开(公告)号：CN100582940C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200380104698.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , H01L21/027
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10-90摩尔%(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0-50摩尔%(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10-90摩尔%烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002-0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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公开(公告)号：CN100576076C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200380107529.3
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 正性抗蚀剂组合物，它包括树脂组分(A)和酸生成剂组分(B)，所述组分(A)包括在酸作用下其碱溶性增加的可酸解溶解抑制基团，而所述组分(B)在曝光时产生酸，其中树脂组分(A)为包括衍生自羟基苯乙烯的第一结构单元(a1)和衍生自含醇式羟基的(甲基)丙烯酸酯的第二结构单元(a2)的共聚物，其中在结构单元(a1)内的羟基和结构单元(a2)内的醇式羟基的总量的10摩尔%或更多以及25摩尔%或更少用可酸解溶解抑制基团保护，而共聚物用可酸解溶解抑制基团保护之前的重均分子量为2,000-8,500。
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公开(公告)号：CN100543584C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200510120497.1
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并，在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10-90摩尔%(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0-50摩尔%(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10-90摩尔%烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002-0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。
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