脉冲神经网络的训练方法、图像分割方法

    公开(公告)号:CN120068956A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510181871.6

    申请日:2025-02-19

    Abstract: 本公开提供了一种脉冲神经网络的训练方法、图像分割方法。该方法包括:将样本图像的样本脉冲序列特征输入脉冲神经网络模型,在基于脉冲神经网络模型中的漏积分发放神经元响应样本脉冲序列特征,生成脉冲的情况下,获取生成突触前脉冲和突触后脉冲的脉冲时间差,其中,脉冲神经网络模型中具有当前突触权重,当前突触权重用于对突触前脉冲进行处理得到突触后脉冲;利用权重更新公式,计算与脉冲时间差相对应的权重改变量,其中,权重更新公式是基于样本脉冲时序依赖可塑性数据对脉冲时序依赖可塑性公式进行拟合得到的;以及利用权重改变量对当前突触权重进行调整,以训练脉冲神经网络模型。

    可穿戴汗液量检测装置、其制备方法、设备与应用

    公开(公告)号:CN119385514A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411608829.X

    申请日:2024-11-12

    Abstract: 本发明公开了一种可穿戴汗液量检测装置、其制备方法、设备与应用。所述可穿戴汗液量检测装置包括多个层叠单元,含有先后层叠的绝缘亲水储汗层和疏水阻汗层,并具有透汗通道;相邻的层叠单元之间的交替设置有第一透汗传感电极层或第二透汗传感电极层,且多层第一透汗传感电极层电学导通形成第一电极阵列,多层第二透汗传感电极层电学导通形成第二电极阵列。本发明通过不同多孔材料的亲疏水梯度设计来控制汗液的渗透方式,同时通过内嵌层间叉指电极,实现对人体出汗速率和出汗量的检测,具备透气透汗、穿戴舒适的优势,同时基于多层亲水‑疏水结构的构建能够利用导电能力的突变曲线精准地计算汗液量,实现透气性和准确性的同步提升。

    真空互联测试二维材料的方法及系统

    公开(公告)号:CN119147567A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202310702642.5

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种真空互联测试二维材料的方法及系统。所述方法包括:提供待测样品;利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱联合筛选测试位点;基于测试位点的位置,采用聚焦离子束切割二维材料获得相应的透射样品以及利用透射显微镜观察透射样品;待测样品的转移过程均处于真空环境下。本发明所提供的测试二维材料的方法利用真空互联技术,将多种测试手段联合应用,整个过程样品不接触空气,规避了污染,首先由俄歇电子能谱从形貌和成分组成第一次筛选目标,再由X射线光电子能谱从化学态和成键方面再次筛选以及确认测试位点,最后是聚焦离子束‑透射显微镜进一步表征测试,为复杂高成本的聚焦离子束和透射显微镜减少了大量的样品寻找工作,方便、快捷且高效。

    透射样品的电流测试系统及测试方法

    公开(公告)号:CN118275482A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211728792.5

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明揭示了一种透射样品的电流测试系统及测试方法,所述测试系统包括:扫描电镜,其具有一SEM腔体及电镜窗口;电子枪,位于SEM腔体内,用于提供电子束;法拉第杯,位于SEM腔体内电子枪下方,用于收集入射电流;绝缘模板,位于法拉第杯上方;金属网,位于绝缘模板上方,用于承载透射样品;第一电流测量装置及第二电流测量装置,位于SEM腔体外部,所述第一电流测量装置与金属网电性连接,用于测量透射样品的吸收电流,所述第二电流测量装置与法拉第杯电性连接,用于测量电子束入射电流及穿过透射样品的透射电流。本发明的测试系统结构简单,改装成本低,测量误差较小。

    一种气氛可控的小型反应装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118272919A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211728812.9

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本申请公开了一种气氛可控的小型反应装置,包括反应腔内部形成有密闭的反应空间;进气管道安装在反应腔的腔体上;样品加热台设置在反应空间内;真空管道安装在反应腔的腔体上,用于连接真空泵组;对接口法兰,安装在反应腔的腔体上,设有与反应空间连通的导入通道,用于连接真空腔体。本申请反应腔可与其他超高真空系统相连接,反应腔体积可设置的较小,可应用于昂贵气体以及某些同位素气体的使用,反应效率更高,节省气体使用,大大降低了实验成本;极限真空可达到10‑9mbar量级,与真空设备传样时不会对真空设备的真空腔造成污染,同时通过泵组可以快速将反应腔内部抽至超高真空,从而实现与MBE腔室之间的快速传样。

    提高二维晶体材料导电性的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117430098A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311391792.5

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种提高二维晶体材料导电性的方法,通过在插层反应器中进行电化学程序对二维晶体材料进行锂插层,其中插层反应器含有:作为阴极的二维晶体材料,二维晶体材料具有一定的层间间距;阳极,该阳极采用非锂金属;设置于二维晶体材料和阳极之间的电解质,电解质包括去离子水和溶解在去离子水中的插层剂,插层剂为锂的化合物,以10μA‑40μA的电流密度和10h‑168h的持续时间在阳极和二维晶体材料之间施加电流。与现有技术相比,本发明采用锂离子在水溶液中受库仑力的驱使作用直接渗入二维材料层间的方式,不需要使用易燃易爆的锂金属电极,也无需污染真空的有机溶剂即可实现锂离子的插层。

    制备过渡金属氮化物单晶的方法及过渡金属氮化物单晶

    公开(公告)号:CN117166060A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311151459.7

    申请日:2023-09-07

    Abstract: 本申请公开了一种制备过渡金属氮化物单晶的方法及过渡金属氮化物单晶,方法包括:将衬底清洗、干燥;对衬底进行除气和真空退火,衬底表面出现原子级台阶;将衬底传递至生长台上,控制所述生长台升温至第二温度;控制生长台旋转,对所述衬底表面进行氮化处理;氮化处理完成后,蒸发过渡金属并将蒸气导入所述生长腔中,开始在所述衬底表面生长过渡金属氮化物;生长完成后,对过渡金属氮化物进行修复处理,修复处理完成后,降至室温,得到过渡金属氮化物单晶。本申请通过在超高真空条件下处理得到具有原子级台阶的衬底,之后利用氮等离子体发生装置结合电子束蒸发在分子束外延设备中制备高熔点的过渡金属氮化物单晶。

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