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公开(公告)号：CN117865079A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410120210.8
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C01B21/082
Abstract: 本申请公开了一种晶圆级二维石墨相氮化碳及其制备方法，制备方法包括将衬底清洗、干燥后放置在预处理腔中；对衬底进行除气和真空退火，直至衬底表面出现原子级台阶，降温至第一温度；控制生长台升温至第一温度，将衬底传递至生长台上，升温至第二温度；控制生长台旋转，向生长腔内通入氮气，控制氮等离子体发生装置和电子束装置开始工作；同步打开氮等离子体发生装置挡板和电子束装置挡板；生长完成后，降至室温。本申请基于等离子辅助分子束外延的方法直接制备晶圆级二维石墨相氮化碳薄膜，制备得到的二维石墨相氮化碳均匀度好、结晶质量高，可以基于实际需求调整制备得到的石墨相氮化碳薄膜的尺寸和厚度，满足不同研究或工况需求。
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公开(公告)号：CN117448933A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311463394.X
申请日：2023-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种金属单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、将衬底置于超高真空磁控溅射设备中，于真空背景下在所述衬底表面沉积金属薄膜；S3、将沉积有金属薄膜的衬底通过第一真空管道转移至超高真空管式炉中，于真空背景下进行两次退火，以获得具有单一取向和表面原子级平整度的金属单晶薄膜，退火气氛为惰性气体和氢气的混合气体，第一次退火温度小于第二次退火温度，第一次退火时间大于第二次退火时间。本发明中金属单晶薄膜在超真空互联系统中制备而得，有效避免了单晶薄膜表面杂质的污染，最小化了薄膜中的缺陷、位错和表面粗糙度，有助于实现外延生长。
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公开(公告)号：CN117166060A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311151459.7
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种制备过渡金属氮化物单晶的方法及过渡金属氮化物单晶，方法包括：将衬底清洗、干燥；对衬底进行除气和真空退火，衬底表面出现原子级台阶；将衬底传递至生长台上，控制所述生长台升温至第二温度；控制生长台旋转，对所述衬底表面进行氮化处理；氮化处理完成后，蒸发过渡金属并将蒸气导入所述生长腔中，开始在所述衬底表面生长过渡金属氮化物；生长完成后，对过渡金属氮化物进行修复处理，修复处理完成后，降至室温，得到过渡金属氮化物单晶。本申请通过在超高真空条件下处理得到具有原子级台阶的衬底，之后利用氮等离子体发生装置结合电子束蒸发在分子束外延设备中制备高熔点的过渡金属氮化物单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113804909A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010541358.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N35/10
Abstract: 本发明公开了一种真空互联样品转移组件，包括基座、卡座、抵持组件以及将卡座和抵持组件固定在基座上的固定板组件；卡座呈U形，包括一对间隔设置的导向臂，每个导向臂开设有沿其长度延伸且贯穿其自由端端面的导向孔；抵持组件包括两个分别位于一对导向臂外侧的弹性的抵持部，抵持部弹性抵接在导向臂外侧且接触导向孔边沿；固定板组件上开设有供转移样品的压杆压紧的转移孔。由于样品托可以沿着本发明的导向臂上开设的导向孔滑入，并受到导向臂外侧的弹性的抵持部的抵接，实现了样品托在多个方向上的限位，可以避免发生晃动，使得真空互联样品转移组件可以兼容两寸样品托，从而实现了不同设备间的样品传输。
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公开(公告)号：CN118119257A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410469843.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本申请公开了一种p型碲化铋基复合热电材料及其制备方法，制备方法包括：将BixSb2‑xTe3和Ag粉在球磨罐中混合，球磨均匀，得到BixSb2‑x‑yAgyTe3；将碳纳米管和BixSb2‑x‑yAgyTe3混合，之后机械研磨使混合均匀，得到混合粉末；对混合粉末进行烧结，得到p型碲化铋基复合热电材料。本申请通过Ag掺杂和CNTs之间的协同作用，提高热电材料在低中温区的热电优值zT，提高热电材料的热电性能同时扩展了热电材料的应用温度范围；通过引入CNTs能够有效提高了热电材料的硬度，有利于材料的装配和器件的服役，对于器件的制备和实际应用具有积极作用。
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公开(公告)号：CN113804909B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010541358.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N35/10
Abstract: 本发明公开了一种真空互联样品转移组件，包括基座、卡座、抵持组件以及将卡座和抵持组件固定在基座上的固定板组件；卡座呈U形，包括一对间隔设置的导向臂，每个导向臂开设有沿其长度延伸且贯穿其自由端端面的导向孔；抵持组件包括两个分别位于一对导向臂外侧的弹性的抵持部，抵持部弹性抵接在导向臂外侧且接触导向孔边沿；固定板组件上开设有供转移样品的压杆压紧的转移孔。由于样品托可以沿着本发明的导向臂上开设的导向孔滑入，并受到导向臂外侧的弹性的抵持部的抵接，实现了样品托在多个方向上的限位，可以避免发生晃动，使得真空互联样品转移组件可以兼容两寸样品托，从而实现了(56)对比文件董艳.MEMS器件的W2W真空封装研究.仪表技术与传感器.2015,(第05期),第17-19页.李春;胡晓影;何天应;孙培华;兰长勇.二维原子晶体半导体转移技术研究进展.深圳大学学报(理工版).2018,(第03期),第41-50页.
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公开(公告)号：CN221854738U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202420273974.6
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C14/22
Abstract: 本实用新型公开了一种分子束外延用源炉以及分子束外延设备，所述分子束外延用源炉，包括：炉体，其内具有加热腔，所述炉体上开设有与所述加热腔相连通的发射口；坩埚，设于所述加热腔内，用于放置蒸发材料，所述坩埚上具有开口，所述开口朝向所述发射口设置；重量传感器，设置于加热腔内，且位于所述坩埚外的底部，用于称量所述坩埚以及蒸发材料的质量；加热器，设置于所述加热腔内。本实用新型的分子束外延用源炉能够实时判断蒸发材料内物料变化，以便合理安排换源和材料生长实验，大大减少时间成本。
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公开(公告)号：CN221445902U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202323059596.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本实用新型公开了一种样品底座，包括环形板、支撑板、固定杆以及水平限位板。环形板设置在支撑板的上方，与支撑板共同形成有容纳腔，样品放置于容纳腔内。固定杆的一端设置于支撑板的底部，固定杆的另一端用以固定于真空互联扫描电镜的位移台上。水平限位板设置于固定杆上。当固定杆固定于位移台上时，水平限位板与位移台压接以控制样品底座与位移台之间的夹角，保证后续检测时对样品托内待测样品的检测精确度。通过环形板放置样品托，通过水平限位板限制样品底座与真空互联扫描电镜位移台间的平行关系，提高检测的准确性，并且节省样品底座的安装时间，保证传样以及检测效率。
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