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公开(公告)号：CN119630127A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311158171.2
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种等离激元增强型紫外光电探测器及其制作方法，等离激元增强型紫外光电探测器包括：半导体材料层以及纳米结构层，所述半导体材料层具有3.2ev‑8.0ev的宽带隙；所述纳米结构层形成于所述半导体材料层表面，所述纳米结构层的材料选自铍。本发明的等离激元增强型紫外光电探测器及其制作方法，其能够增强紫外光电探测器，特别是真空紫外光电探测器的探测性能。
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公开(公告)号：CN119602078A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202311158177.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元的半导体激光器及其制作方法，半导体激光器包括：衬底；半导体增益层，形成于所述衬底表面；金属纳米颗粒阵列，形成于所述半导体增益层表面，所述金属纳米颗粒阵列包括阵列排布的复数个Al金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒阵列满足，10nm≦g≦30nm，其中，g为任意相邻两个Al金属纳米颗粒的间距。本发明的基于等离激元的半导体激光器及其制作方法，其能够大幅改善半导体激光器的性能。
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公开(公告)号：CN118275482A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728792.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/04 , G01N23/20008 , G01R19/00
Abstract: 本发明揭示了一种透射样品的电流测试系统及测试方法，所述测试系统包括：扫描电镜，其具有一SEM腔体及电镜窗口；电子枪，位于SEM腔体内，用于提供电子束；法拉第杯，位于SEM腔体内电子枪下方，用于收集入射电流；绝缘模板，位于法拉第杯上方；金属网，位于绝缘模板上方，用于承载透射样品；第一电流测量装置及第二电流测量装置，位于SEM腔体外部，所述第一电流测量装置与金属网电性连接，用于测量透射样品的吸收电流，所述第二电流测量装置与法拉第杯电性连接，用于测量电子束入射电流及穿过透射样品的透射电流。本发明的测试系统结构简单，改装成本低，测量误差较小。
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公开(公告)号：CN118870961A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410839152.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成式微波探测器件及其制作方法，通过本申请的制作方法，能将磁电天线与磁性隧道结进行片上集成整合，且能确保器件本身以及两个结构之间的绝缘，保证器件的一致性。一方面，使得两个结构实现了高度集成，免去了信号接收模块与整流探测模块之间的信号传递衰减；另一方面，使得片上的集成微纳器件可以直接探测或收集环境中的电磁波信号，在提高微波系统集成度的同时，摆脱了对大尺寸传统天线的依赖。
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公开(公告)号：CN118275749A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211741357.6
申请日：2022-12-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01R19/00 , G01N23/2251
Abstract: 本发明揭示了一种基于金属等离激元的半导体光电流测试系统及测试方法，所述测试系统包括：扫描电镜，其具有一SEM腔体及电镜窗口；SEM变温台，位于SEM腔体内，用于承载半导体外延结构；电流测量装置，位于SEM腔体外部；电子枪，位于SEM腔体内，用于提供激发半导体外延结构的电子束；其中，所述半导体外延结构包括绝缘基底、位于绝缘基底上的有源区、及位于有源区上的电极和金属纳米结构，所述电极与电流测量装置通过引线电性连接，所述引线贯穿电镜窗口。本发明通过对扫描电镜进行改装，能够测试金属等离激元激发产生的光电流，可以从微观尺度测试金属等离激元的增强效应。
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