公开(公告)号：CN120068956A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510181871.6

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 张珽 ,  李寅虓 ,  王小伟 ,  孙富钦 ,  夏洋 ,  张程 ,  周伟凡

IPC: G06N3/049 ,  G06N3/084 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06V10/26

Abstract: 本公开提供了一种脉冲神经网络的训练方法、图像分割方法。该方法包括：将样本图像的样本脉冲序列特征输入脉冲神经网络模型，在基于脉冲神经网络模型中的漏积分发放神经元响应样本脉冲序列特征，生成脉冲的情况下，获取生成突触前脉冲和突触后脉冲的脉冲时间差，其中，脉冲神经网络模型中具有当前突触权重，当前突触权重用于对突触前脉冲进行处理得到突触后脉冲；利用权重更新公式，计算与脉冲时间差相对应的权重改变量，其中，权重更新公式是基于样本脉冲时序依赖可塑性数据对脉冲时序依赖可塑性公式进行拟合得到的；以及利用权重改变量对当前突触权重进行调整，以训练脉冲神经网络模型。

公开(公告)号：CN119545866A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411740348.4

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙富钦 ,  王小伟 ,  张珽 ,  何小钱 ,  周伟凡

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80 ,  H10D64/66 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括依次设置于衬底上的半导体有源层、第一绝缘介质层和栅电极，所述半导体有源层的材料为二维半导体材料，第一绝缘介质层是由连接在半导体有源层上的易氧化的二维半导体材料原位氧化形成。本发明通过在二维半导体材料上利用原位构建氧化物层的方式，形成二维半导体‑氧化物界面，极大地降低了界面的缺陷密度，提高了界面的质量。该氧化物介质层可以直接用于作为晶体管的栅极介质层，也可以以该氧化物介质层为过渡，在氧化物介质层上进一步制备获得厚度致密且均匀的电介质薄膜作为晶体管的栅极介质层，由此提升基于二维半导体材料的晶体管器件的性能。