公开(公告)号：CN120068956A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510181871.6

申请日：2025-02-19

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 张珽 ,  李寅虓 ,  王小伟 ,  孙富钦 ,  夏洋 ,  张程 ,  周伟凡

IPC: G06N3/049 ,  G06N3/084 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06V10/26

Abstract: 本公开提供了一种脉冲神经网络的训练方法、图像分割方法。该方法包括：将样本图像的样本脉冲序列特征输入脉冲神经网络模型，在基于脉冲神经网络模型中的漏积分发放神经元响应样本脉冲序列特征，生成脉冲的情况下，获取生成突触前脉冲和突触后脉冲的脉冲时间差，其中，脉冲神经网络模型中具有当前突触权重，当前突触权重用于对突触前脉冲进行处理得到突触后脉冲；利用权重更新公式，计算与脉冲时间差相对应的权重改变量，其中，权重更新公式是基于样本脉冲时序依赖可塑性数据对脉冲时序依赖可塑性公式进行拟合得到的；以及利用权重改变量对当前突触权重进行调整，以训练脉冲神经网络模型。

公开(公告)号：CN119545866A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411740348.4

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙富钦 ,  王小伟 ,  张珽 ,  何小钱 ,  周伟凡

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80 ,  H10D64/66 ,  H10D64/68

Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括依次设置于衬底上的半导体有源层、第一绝缘介质层和栅电极，所述半导体有源层的材料为二维半导体材料，第一绝缘介质层是由连接在半导体有源层上的易氧化的二维半导体材料原位氧化形成。本发明通过在二维半导体材料上利用原位构建氧化物层的方式，形成二维半导体‑氧化物界面，极大地降低了界面的缺陷密度，提高了界面的质量。该氧化物介质层可以直接用于作为晶体管的栅极介质层，也可以以该氧化物介质层为过渡，在氧化物介质层上进一步制备获得厚度致密且均匀的电介质薄膜作为晶体管的栅极介质层，由此提升基于二维半导体材料的晶体管器件的性能。

公开(公告)号：CN117629398A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311547509.3

申请日：2023-11-20

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙富钦 ,  王小伟 ,  张珽 ,  李寅虓 ,  管科杰 ,  冯思敏

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电材料的类脑感知光传感器，包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的光响应层，所述光响应层为铁电绝缘体材料层或铁电半导体材料层。本发明利用铁电材料的极化效应，传感器的光响应度可以通过铁电极化实现非易失性的调谐，通过选择合适带隙的材料实现可重构、宽波谱的光响应，无需持续施加电压就可以实现对光响应度的非易失性调谐，降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN116203098A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310186837.9

申请日：2023-03-01

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 张珽 ,  刘林 ,  王小伟 ,  冯思敏 ,  管科杰 ,  刘银行 ,  王颖异

IPC: G01N27/414 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明揭示了一种铁电FET气体传感器及其制备与调控方法，所述铁电FET气体传感器包括衬底、位于衬底上的栅极、位于栅极上的铁电体介电层、位于铁电体介电层上的气体敏感层、及位于气体敏感层上的源极和漏极，所述栅极上施加有脉冲栅压以调控铁电体介电层的极化方向及强度，从而实现对气体敏感层的初始状态及气体解吸附速度的调控。

公开(公告)号：CN116417340A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310633688.6

申请日：2023-05-31

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 张珽 ,  管科杰 ,  冯思敏 ,  王小伟 ,  刘银行 ,  孙富钦 ,  刘林 ,  王颖异

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种二维薄膜材料的转移方法，包括以下步骤：衬底上负载二维薄膜材料的一面覆盖一层高分子牺牲层，得到多层结构；将所述多层结构置于刻蚀溶液中，刻蚀所述衬底，使所述衬底与二维薄膜材料以及高分子牺牲层相分离；将去除了所述衬底的所述多层结构于所述刻蚀溶液取出；其中，所述高分子牺牲层能够溶解于溶解液，所述胶带层的尺寸大于衬底以及高分子牺牲层的尺寸。本发明的二维薄膜材料的转移方法能够减小或避免干法转移过程中对二维薄膜材料的损伤。

公开(公告)号：CN119997584A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510123027.8

申请日：2025-01-26

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 代浩 ,  张珽 ,  王小伟 ,  孙富钦 ,  管科杰 ,  芶晓霜 ,  何小钱 ,  夏洋

IPC: H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H10D64/66 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开提出了一种二维半导体材料原位氧化的高介电常数栅介质材料的制备方法，包括：通过紫外光对二维半导体材料进行照射，紫外光分解空气中的氧气并氧化二维半导体材料，以在二维半导体材料表面原位生长得到高介电常数栅介质材料；再对高介电常数栅介质材料进行快速热退火，以得到致密的高介电常数栅介质材料。其中，二维半导体材料为二维硫化钽，二维硫化钽的表面平整度为±0.5nm，高介电常数栅介质材料为氧化钽，氧化钽的介电常数为18‑22，氧化钽的表面平整度为±0.7nm。本公开还提出了根据前述制备方法得到的高介电常数栅介质材料以及其作为栅介质材料的晶体管和互补型金属‑氧化物‑半导体反相器。