公开(公告)号：CN117286461A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311263336.2

申请日：2023-09-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 张磊 ,  黄浩斐 ,  钱智超 ,  张巍 ,  王露露 ,  陈雯昕 ,  龚恒玥 ,  唐可 ,  王林军 ,  黄健

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明涉及一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用，制备方法采用电子束蒸发法，在衬底上制备镓金属层，于空气氛围下对其进行氧化退火得到镓缓冲层，最后采用磁控溅射法在镓缓冲层表面制备得到高性能的氧化镓薄膜。与现有技术相比，本发明具有操作简单、成本较低、效果显著等优点，本发明得到的氧化镓薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。