公开(公告)号：CN106024862B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201610479524.2

申请日：2016-06-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨蔚川 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  任兵 ,  赵申洁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种带有电极的金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法。属于半导体器件材料制造工艺技术领域。本发明是在n型GaN衬底上采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备一层p型纳米金刚石(p‑NCD)薄膜，从而制备出一个p‑NCD/n‑GaN的异质结结构器件。本发明的目的是提供一种低成本、高质量的p‑NCD/n‑GaN异质结制备方法。其特点在于，采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法首次在n型GaN上制备了p型纳米金刚石薄膜(p‑NCD)形成异质结。所得到的器件具有制备方法简单，成本小，很好的整流特性，适用于高频电子器件，等优点。

公开(公告)号：CN105789387B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201610176123.X

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  李伦娟 ,  黄健 ,  杨蔚川 ,  于鸿泽

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。

公开(公告)号：CN105789387A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610176123.X

申请日：2016-03-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  李伦娟 ,  黄健 ,  杨蔚川 ,  于鸿泽

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/005

Abstract: 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有明显的整流特性，在电压±5V时，退火前与退火后器件的正向电流（IF）与反向电流（IR）的之比分别为12.5,146。退火后的样品漏电流有明显的降低，具有更好的整流特性。

公开(公告)号：CN106057968A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610406750.8

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯‑金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯‑金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。

公开(公告)号：CN105895740A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610315723.X

申请日：2016-05-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯?金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯?金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。

公开(公告)号：CN106024862A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610479524.2

申请日：2016-06-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨蔚川 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  任兵 ,  赵申洁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/02376 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明涉及一种带有电极的新型金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法。属于半导体器件材料制造工艺技术领域。本发明是在n型GaN衬底上采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备一层p型纳米金刚石(p-NCD)薄膜，从而制备出一个p-NCD/n-GaN的异质结结构器件。本发明的目的是提供一种低成本、高质量的p-NCD/n-GaN异质结制备方法。其特点在于，采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法首次在n型GaN上制备了p型纳米金刚石薄膜（p-NCD）形成异质结。所得到的器件具有制备方法简单，成本小，很好的整流特性，适用于高频电子器件，等优点。