公开(公告)号：CN106057968A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610406750.8

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯‑金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯‑金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。

公开(公告)号：CN105895740A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610315723.X

申请日：2016-05-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  于鸿泽 ,  黄健 ,  李伦娟 ,  杨巍川 ,  任兵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯?金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯?金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。