一种由地沟油制备有机高分子发泡材料的方法

    公开(公告)号:CN103881045A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410086014.X

    申请日:2014-03-11

    CPC classification number: C08G18/36 C08G18/3275 C08G2101/0025

    Abstract: 本发明涉及一种由地沟油制备有机高分子发泡材料的方法,该方法为:对地沟油进行预处理,并将预处理后的地沟油与氨基化合物发生氨解反应生成多元醇和醇胺盐,以所得该多元醇和醇胺盐替代石油基多元醇,作为硬泡聚氨酯原料之一,和异氰酸酯在发泡剂、催化剂、泡沫稳定剂的作用下混合反应,制造出综合性能优异的硬泡聚氨酯有机发泡材料。与现有技术相比,本发明所提供的方法整个工艺过程简单、总成本低、利润显著,并且综合性能优异。不仅有利于环境保护,节省石油资源,为地沟油的高价值再利用提供了一个极具吸引力的出路。

    铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102191555A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110110229.7

    申请日:2011-04-29

    Inventor: 马荔 周桃 郑茂俊

    Abstract: 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法,通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理,制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜;然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液,最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本发明通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备,而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制;材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。

    一种由地沟油制备有机高分子发泡材料的方法

    公开(公告)号:CN103881045B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201410086014.X

    申请日:2014-03-11

    Abstract: 本发明涉及一种由地沟油制备有机高分子发泡材料的方法,该方法为:对地沟油进行预处理,并将预处理后的地沟油与氨基化合物发生氨解反应生成多元醇和醇胺盐,以所得该多元醇和醇胺盐替代石油基多元醇,作为硬泡聚氨酯原料之一,和异氰酸酯在发泡剂、催化剂、泡沫稳定剂的作用下混合反应,制造出综合性能优异的硬泡聚氨酯有机发泡材料。与现有技术相比,本发明所提供的方法整个工艺过程简单、总成本低、利润显著,并且综合性能优异。不仅有利于环境保护,节省石油资源,为地沟油的高价值再利用提供了一个极具吸引力的出路。

    单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN100415953C

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200610119251.7

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法,属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法,包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程,首先为电化学刻蚀过程,包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀,其后为无电湿法刻蚀过程,包括湿法择优腐蚀和超声波清洗,最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法,实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。

    较大孔间距的氧化铝纳米孔阵列膜的快速稳定生长方法

    公开(公告)号:CN1974873A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610118666.2

    申请日:2006-11-23

    Abstract: 一种纳米材料技术领域的较大孔间距的氧化铝纳米孔阵列膜的快速稳定生长方法。步骤为:第一,配制磷酸-水-乙醇电解液:其中H2O和C2H5OH体积比为4∶1,H3PO4浓度为0.25-0.5mol/L,电解液总体积为2L;第二,铝片预处理:将圆形铝片放入丙酮中浸泡,擦拭干净,并用去离子水冲洗,使用高氯酸和乙醇混合溶液在恒压条件下电化学抛光;第三,使用低温恒温槽将电解液温度降至-5~-10℃温度,并对电解液进行搅拌,在阳极氧化电压为195V、电流密度为1500-4000Am-2的条件下对铝片进行一次腐蚀;第四,将一次腐蚀后的样品在铬酸混合水溶液中浸泡,温度保持在60℃,以去除一次腐蚀产生的氧化铝;第五,在与第三步相同的条件下对样品进行二次腐蚀。

    多孔氧化铝膜湿敏传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN101629927A

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200910056327.X

    申请日:2009-08-13

    Abstract: 一种传感器技术领域的多孔氧化铝膜湿敏传感器的制备方法,包括:配制混合电解液;将铝片进行溶剂浸泡处理后采用强氧化抛光液在恒压条件下进行电化学抛光;将圆形铝片进行腐蚀处理后,经去膜处理后进行二次腐蚀处理;将若干多孔氧化铝膜置于磷酸溶液中分别进行化学浸蚀处理,得到若干不同孔径结构的氧化铝膜;在不同孔径结构的氧化铝膜的正面溅射Au膜,通过两根细铜丝分别引出两个电极,制成多孔氧化铝膜湿敏传感器。本发明利用在高场下的磷酸溶液中制备多孔氧化铝膜,缩短了湿敏传感器响应回复时间,在一定湿度区域的灵敏度得到大大提高。这为获得高性能氧化铝湿敏传感器提供了一种有效的方法。

    单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN1986912A

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:CN200610119251.7

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法,属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法,包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程,首先为电化学刻蚀过程,包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀,其后为无电湿法刻蚀过程,包括湿法择优腐蚀和超声波清洗,最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法,实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。

    铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102191555B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201110110229.7

    申请日:2011-04-29

    Inventor: 马荔 周桃 郑茂俊

    Abstract: 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法,通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理,制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜;然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液,最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本发明通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备,而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制;材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。

    制备纳米晶SnO2粉的方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1304297C

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200410018011.9

    申请日:2004-04-29

    Abstract: 一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO2粉的方法,以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料,采用固液氧化还原制备Sn,SnO,SnOx混合粉体,然后采用固态热氧化技术,对混合粉体进行热氧化处理,制备出超纯纳米晶SnO2粉,再经进一步碾磨得到超细纳米晶SnO2粉。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合粉体,并且由于中间体由Sn,SnO,SnOx构成的混合粉体,有效避免了由纯金属锡粉体熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米晶结构SnO2松散构成的粉体,极易被碾磨成超细、超均匀SnO2粉。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料,充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。

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