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公开(公告)号：CN100421215C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510027929.4
申请日：2005-07-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/24
Abstract: 一种半导体材料领域的氢化纳米硅薄膜的制备方法。本发明用等离子增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷和氢气为生长源气体，单晶硅材料作为衬底，利用单晶硅衬底的晶格匹配和有序结构诱导的作用，生长出高密度的纳米硅晶粒薄膜，并且其晶界厚度非常狭窄，为2-4个原子层，进一步通过改变磷烷掺杂比例，得到导电性能可控的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜。本发明制备的薄膜中的电子迁移率可以高达102cm2/Vs量级，而且可以通过控制生长条件在很大范围内改变薄膜的电学输运性能，可以方便地调节薄膜的电子浓度、迁移率和电导率，适应半导体器件多方面的需要，另外还具有同目前成熟的硅工艺相结合的优点。
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公开(公告)号：CN1304297C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410018011.9
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO2粉的方法，以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnOx混合粉体，然后采用固态热氧化技术，对混合粉体进行热氧化处理，制备出超纯纳米晶SnO2粉，再经进一步碾磨得到超细纳米晶SnO2粉。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合粉体，并且由于中间体由Sn，SnO，SnOx构成的混合粉体，有效避免了由纯金属锡粉体熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米晶结构SnO2松散构成的粉体，极易被碾磨成超细、超均匀SnO2粉。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料，充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。
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公开(公告)号：CN1569645A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410018011.9
申请日：2004-04-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 一种用于纳米材料领域的制备纳米晶SnO2粉的方法，以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料，采用固液氧化还原制备Sn，SnO，SnOx混合粉体，然后采用固态热氧化技术，对混合粉体进行热氧化处理，制备出超纯纳米晶SnO2粉，再经进一步碾磨得到超细纳米晶SnO2粉。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合粉体，并且由于中间体由Sn，SnO，SnOx构成的混合粉体，有效避免了由纯金属锡粉体熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米晶结构SnO2松散构成的粉体，极易被碾磨成超细、超均匀SnO2粉。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料，充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。
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公开(公告)号：CN114533142A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210164762.X
申请日：2022-02-23
Applicant: 上海交通大学医学院附属第九人民医院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B10/02
Abstract: 本申请涉及医疗器械领域，特别是涉及一种组织良恶性快速检测活检穿刺枪，包括依次连接的手柄部、盒体和套管；手柄部、盒体和套管内设有针腔，针腔自手柄部远离盒体的一端经盒体直线延伸至套管远离盒体的一端，针腔中还设有与其相配合的穿刺针；盒体的一侧壁设有反应槽通过腔，还包括反应槽，反应槽通过腔与针腔连通；还包括位于反应槽上方的按压切割部，穿刺针设有与按压切割部相配合的通孔，盒体上还设有注射器连接件，注射器连接件包括注射口，注射口与反应槽连通。本申请为穿刺采集、制片、特异性标记一体化设计的活检穿刺枪，通过精巧的机械传动装置设计，在保证现有活检穿刺程序正常进行的同时，可便捷取出供良恶性鉴别。
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公开(公告)号：CN108310003A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810060145.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海交通大学医学院附属第九人民医院
Abstract: 本发明涉及一种用于高效肿瘤靶向治疗的表面修饰C3N量子点的制备方法，包括：(1)将C3N量子点超声分散于溶剂中，得到C3N量子点溶液，形成第一混合液体；(2)向C3N量子点溶液中加入靶向剂，静置溶解，形成第二混合液体；(3)将第二混合液体转移至水热反应釜，进行水热反应，渗析纯化，得到用于高效肿瘤靶向治疗的表面修饰C3N量子点。与传统化疗药物相比，该材料具有优异的靶向识别能力与高效的肿瘤杀灭能力，对肿瘤的化学治疗具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100378254C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510025946.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的控制，以饱和硫酸铜和盐酸混合溶液为腐蚀液，结合一个简单的滤网，去除未被氧化的铝从而得到自由独立的超薄氧化铝模板，进一步用磷酸去除位于模板底部的阻碍层即可得到双通自由独立的超薄氧化铝模板。本发明由于厚度可控并且高度有序，这种自由独立的超薄多孔氧化铝模板不仅有望在各种纳米结构材料的制备中得到广泛应用，并且在过滤材料、表面防腐、催化剂载体和生物陶瓷材料等领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN1712574A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510025946.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于材料制备技术领域的厚度可控、自由独立超薄多孔氧化铝模板的制备方法，本发明利用电化学方法对铝片进行第一次电解，然后去除第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝层，通过控制第二次电解的电解电流和电解时间实现多孔氧化铝模板厚度的控制，以饱和硫酸铜和盐酸混合溶液为腐蚀液，结合一个简单的滤网，去除未被氧化的铝从而得到自由独立的超薄氧化铝模板，进一步用磷酸中去除位于模板底部的阻碍层即可得到双通自由独立的超薄氧化铝模板。本发明由于厚度可控并且高度有序，这种自由独立的超薄多孔氧化铝模板不仅有望在各种纳米结构材料的制备中得到广泛应用，并且在过滤材料、表面防腐、催化剂载体和生物陶瓷材料等领域有潜在应用。
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公开(公告)号：CN115184313A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111227034.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 上海交通大学医学院附属第九人民医院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳氮荧光量子点肿瘤细胞检测试剂盒及其使用方法，其特征在于，包括A液和B液；其中，所述A液是碳氮荧光量子点溶液，所述B液是缓冲液；所述碳氮荧光量子点溶液由碳氮荧光量子点和溶剂组成。其使用流程，至少包括以下步骤：步骤S10、提供试剂盒A液、B液，患者胸水、尿液样品；步骤S20、高速离心，B液重悬后，加入A液染色；步骤S30、高速离心，B液重悬；步骤S40、分光光度计检测荧光强度。本发明对胸水和尿液组织液中肿瘤细胞的检测具有高特异性和高敏感性，且操作简单、成本小。不但能够提高医生对临床肿瘤患者的诊断水平，还能为肿瘤的预后评估、用药筛选、个体化治疗提供了帮助。
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公开(公告)号：CN114002199A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111275141.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海交通大学医学院附属第九人民医院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及糖酵解检测领域，特别是涉及碳氮荧光量子点在制备有氧糖酵解检测产品中的用途，所述碳氮荧光量子点为N掺杂石墨烯量子点、C3N4量子点、C2N量子点或C3N量子点中的一种或几种；所述有氧糖酵解检测产品为试剂，以试剂的终体积为基准，所述试剂中包括终浓度为1μg/mL～1mg/mL的碳氮荧光量子点。本发明利用碳氮荧光量子点可实现活细胞中NAD+的荧光标记，进而实现有氧糖酵解的细胞的荧光标记与成像，具有低成本、高效、快速、准确性高等优势。同时该技术有助于实现脱落肿瘤细胞的荧光识别、肿瘤极早期预警、肿瘤转移灶检测、肿瘤增殖与恶性程度评估等系列技术的开发。
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公开(公告)号：CN1299327C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410067329.6
申请日：2004-10-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种制备纳米硅量子点阵列的方法，用于半导体材料制备领域。首先利用电化学方法制备氧化铝模板，然后将这种具有高度有序孔洞结构的模板移植到半导体基片上，利用PECVD将钠米硅自然量子点通过模板的孔道生长在半导体基片上，最后利用湿化学方法将氧化铝模板去除，从而得到大面积、高度有序的钠米硅量子点阵列。本发明获得的人工量子点的平均直径大小为30纳米到50纳米，高度为20纳米到100纳米，间距为100纳米，面密度超过每平方厘米1×1010，每个人工量子点中嵌镶着很多直径为3纳米到6纳米的硅自然量子点。由于具有很好的量子限域效应并且高度有序，这种纳米硅量子点阵列有望在多元量子器件中得到广泛应用。
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