公开(公告)号：CN103824898A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410062013.1

申请日：2014-02-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马荔 ,  张彬 ,  周桃 ,  郑茂俊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D11/12 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02422 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C25D11/08 ,  C25D11/12 ,  C25D11/24 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322

Abstract: 一种自组装无电沉积制备铜铟镓硒三维纳米结构阵列的制备方法，通过将背面溅射有金属钼四周带铝支撑的多孔氧化铝模板作为CIGS生长基底，浸入以铜、铟、镓和硒离子的混合液作为铜铟镓硒生长液中使得铜铟镓硒在CIGS生长基底上自组装生长，经退火后得到三维纳米结构的CIGS材料。本发明丰富了纳米结构CIGS的制备方法，为以后进一步制备高效率，大面积，低功耗，低成本的纳米太阳能电池和p-n结器件研究提供了材料支持。制备方法相对简单，不需要需昂贵的真空设备，对周围环境没有特殊要求，适宜工业普及。

公开(公告)号：CN102191555B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110110229.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马荔 ,  周桃 ,  郑茂俊

IPC: H01L31/0264 ,  C30B29/46 ,  C30B7/00 ,  C25D11/10

Abstract: 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本发明通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备，而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制；材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。

公开(公告)号：CN102191555A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110110229.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马荔 ,  周桃 ,  郑茂俊

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/00 ,  C25D11/10

Abstract: 一种纳米材料技术领域的铜铟硒纳米管阵列膜的制备方法，通过将电解腐蚀方法制成的多孔氧化铝模板表面进行无序阻碍层处理，制成两端双通的四周带铝圈的多孔氧化铝膜；然后将多孔氧化铝膜的表面镀金后浸入含有CuCl2、InCl3和H2SeO3的混合溶液，最后经退火处理制成黄铜矿晶体结构的铜铟硒纳米管阵列。本发明通过调节多孔氧化铝模板和多孔金膜的孔径实现内外径(或壁厚)可控的铜铟硒纳米管阵列制备，而铜铟硒纳米管的成分可以通过调节溶液的pH值、各组分比和浓度等来控制；材料的结晶度可以通过后期的退火处理来改善。