公开(公告)号：CN100415953C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200610119251.7

申请日：2006-12-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郑茂俊 ,  曾安生 ,  马荔 ,  沈文忠

IPC: C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。

公开(公告)号：CN1986912A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610119251.7

申请日：2006-12-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郑茂俊 ,  曾安生 ,  马荔 ,  沈文忠

IPC: C30B33/10

Abstract: 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。