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公开(公告)号：CN1411045A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02120621.X
申请日：2002-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/50 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/10135 , H01L2224/10165 , H01L2224/14 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/17517 , H01L2224/81136 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81141 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是抑制芯片的弯曲来提高凸点的接合性。本发明的半导体装置是经设置在半导体芯片1上的功能凸点2将半导体芯片1导电性地连接到芯片安装构件4上的倒装芯片结构的半导体装置，使对抗半导体芯片1的局部的弯曲力的虚设凸点3介于半导体芯片1与芯片安装构件4之间。
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公开(公告)号：CN108369927A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为-55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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公开(公告)号：CN108292655B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201680064838.4
申请日：2016-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种功率模块，通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化，确保绝缘性能。一种功率模块，其特征在于，具备：绝缘基板(2)，在上表面搭载有半导体元件(3)；基体板(1)，与绝缘基板(2)的下表面接合；壳体部件(6)，包围绝缘基板(2)，粘接到基体板(1)；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域，对绝缘基板(2)进行密封；以及压板(9)，从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出，紧固于内壁，并与密封树脂(8)相接。
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公开(公告)号：CN1427471A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02142575.2
申请日：2002-08-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13111 , H01L2224/16 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H03H3/08
Abstract: 为了在安装尺寸大的半导体芯片时确实进行超声波热压接，本发明的半导体器件包括：半导体芯片1；电路基板5，与半导体芯片1相对配置，通过连接用导体4与半导体芯片1电气连接；电极盘2和端子电极6，分别形成在半导体芯片1与电路基板5相对的对置面，与连接用导体4键合；将所述对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂7；预定形状的导电性伪图形10，形成在半导体芯片1或电路基板5的对置面。可使对置面之间的温度分布均匀，能够使非导电性树脂7的粘度和温度均匀化，并且抑制超声波的衰减。
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公开(公告)号：CN108369927B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为‑55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004644B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580068669.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的角部形成有薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄，角部是在俯视时从第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的顶点(4)起在沿着外边缘(5)的方向上占据外边缘(5)的长度的一部分的区域。第1电极第2电极中的至少某一个电极的薄部(3)的平面形状由如下部分包围：从顶点(4)起作为外边缘的一部分相互正交的第1边以及第2边、和远离顶点(4)的曲线状的部分。
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公开(公告)号：CN108292655A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064838.4
申请日：2016-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到一种功率模块，通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化，确保绝缘性能。一种功率模块，其特征在于，具备：绝缘基板(2)，在上表面搭载有半导体元件(3)；基体板(1)，与绝缘基板(2)的下表面接合；壳体部件(6)，包围绝缘基板(2)，粘接到基体板(1)；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域，对绝缘基板(2)进行密封；以及压板(9)，从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出，紧固于内壁，并与密封树脂(8)相接。
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公开(公告)号：CN108604589B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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公开(公告)号：CN108604589A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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公开(公告)号：CN107004644A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068669.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3672 , H01L23/3735 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32155 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/84801 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/14252 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 提供不易受由于施加冷热循环而反复施加的热应力影响的可靠性高的绝缘电路基板以及包括该绝缘电路基板的功率模块和功率单元。绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的俯视时的关于从顶点(4)起沿着外边缘(5)的方向而占据外边缘(5)的长度的一部分的区域即角部，形成薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄。
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