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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004653B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580065241.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外，板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。
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公开(公告)号：CN107004644B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580068669.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的角部形成有薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄，角部是在俯视时从第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的顶点(4)起在沿着外边缘(5)的方向上占据外边缘(5)的长度的一部分的区域。第1电极第2电极中的至少某一个电极的薄部(3)的平面形状由如下部分包围：从顶点(4)起作为外边缘的一部分相互正交的第1边以及第2边、和远离顶点(4)的曲线状的部分。
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公开(公告)号：CN107004653A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065241.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4882 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K3/4015 , H05K2201/0373 , H05K2201/09681 , H05K2201/0969 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外，板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。
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公开(公告)号：CN107004644A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068669.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3672 , H01L23/3735 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32155 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/84801 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/14252 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 提供不易受由于施加冷热循环而反复施加的热应力影响的可靠性高的绝缘电路基板以及包括该绝缘电路基板的功率模块和功率单元。绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的俯视时的关于从顶点(4)起沿着外边缘(5)的方向而占据外边缘(5)的长度的一部分的区域即角部，形成薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄。
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公开(公告)号：CN205752150U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201490000999.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/83205 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83895 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051
Abstract: 本实用新型提供一种具有高导热性且具有良好的生产性的半导体装置。本实用新型的半导体装置具有：绝缘基板(13)；半导体芯片(11)，其设置在绝缘基板上；冷却部件(12)，其通过接合材料(23)与绝缘基板的内表面接合。绝缘基板具有绝缘板(6)和设置在绝缘板的两个表面上的底板(5)和底板(7)。冷却部件为导热金属部件(2)和由铝构成的热应力吸收部件(1)一体形成的复合部件。热应力吸收部件配置在与绝缘基板的内表面接合的一侧，热应力吸收部件的屈服应力小于接合部件的屈服应力。
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