-
公开(公告)号：CN117438404A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310865586.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H02M7/5387 , H02M1/08
Abstract: 提供一种确保了半导体元件的电极与端子的接合强度的半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置。还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：半导体元件(2)，其具有电极(3)；基板(4)；端子(5a)；以及接合材料(11)。端子(5a)包含贯通孔(6)，在贯通孔(6)的内部具有台阶部(7)。接合材料(11)覆盖贯通孔(6)的内部的台阶部(7)，并且与半导体元件(2)的电极(3)接触。
-
公开(公告)号：CN104641465A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048748.2
申请日：2013-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/52 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。
-
公开(公告)号：CN103887249A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310700837.2
申请日：2013-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/291 , H01L21/56 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/564 , H01L2224/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/00 , H01L2924/0001
Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够确保优良的耐湿性和高的机械强度的半导体装置及其制造方法。在基板（1）的主表面上形成场效应晶体管（2）。接着，在基板（1）的主表面和场效应晶体管（2）上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜（5）。接着，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具（6）将低熔点玻璃膜（5）朝向基板（1）的主表面加压，一边对基板（1）进行加热处理而烧结低熔点玻璃膜（5）。在烧结了低熔点玻璃膜（5）之后，原样地保留加压夹具（6）。
-
公开(公告)号：CN109643661B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201780046968.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电
-
公开(公告)号：CN114258585A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201980099503.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 获得在树脂绝缘构件的外周部处抑制树脂从树脂绝缘构件泄漏并使可靠性提高的半导体装置。半导体装置具备：模块部(2)；树脂绝缘构件(12)，与模块部(2)粘接；冷却部(13)，经由树脂绝缘构件(12)而与模块部(2)连接；以及流动防止构件(11)，被模块部(2)和冷却部(13)夹持，配置在树脂绝缘构件(12)的周围，相比树脂绝缘构件(12)容易压缩变形。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004644B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580068669.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的角部形成有薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄，角部是在俯视时从第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的顶点(4)起在沿着外边缘(5)的方向上占据外边缘(5)的长度的一部分的区域。第1电极第2电极中的至少某一个电极的薄部(3)的平面形状由如下部分包围：从顶点(4)起作为外边缘的一部分相互正交的第1边以及第2边、和远离顶点(4)的曲线状的部分。
-
公开(公告)号：CN110178219B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201880006523.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L21/607 , H01L23/48 , H01L25/18 , H02M7/48
Abstract: 提供在具备电路基板的电力用半导体装置中能够抑制其平面面积的增加的半导体装置、以及具有这样的半导体装置的电力变换装置。半导体装置(101)具备电路基板(1)、功率半导体元件(3)、绝缘性块(5)、控制信号端子(7)、第1主端子(9a)、以及第2主端子(9b)。功率半导体元件(3)被接合到电路基板(1)的一方的主表面上。绝缘性块(5)以包围功率半导体元件(3)的方式配置，功率半导体元件(3)的正上方成为开口部(5c)。控制信号端子(7)以插入于绝缘性块(5)内的方式固定到绝缘性块(5)，包括弯曲部(7t)，弯曲部(7t)从绝缘性块(5)向功率半导体元件(3)之上部分地突出，与功率半导体元件(3)接合。第1主端子(9a)被接合到与被接合有控制信号端子(7)的功率半导体元件(3a)相同的功率半导体元件(3a)。第2主端子(9b)被接合到电路基板(1)。
-
公开(公告)号：CN109643661A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780046968.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供即使在功率半导体元件的可动作温度充分高的情况下，仍具有高的可靠性的功率半导体装置。具备：功率半导体元件(1)，包括形成于第1面(1A)上的电极(2)；第1应力缓和部(6)，与电极(2)经由第1接合部(5)连接；以及布线部(8)，与第1应力缓和部(6)经由第2接合部(7)电连接。第1接合部(5)的接合强度高于第2接合部(7)的接合强度。
-
公开(公告)号：CN107004653B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580065241.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外，板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。
-
公开(公告)号：CN106415833B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201480073732.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 曾田真之介
Abstract: 一种功率半导体模块，在同一面上配置有多个具有在绝缘体的基板的单面形成有表面电极并在另一面形成有背面电极的绝缘基板以及粘着于表面电极的表面的功率半导体元件的半导体元件基板，并且具备对邻接的半导体元件基板之间进行电连接的布线构件，以使至少所配置的多个背面电极全部露出的方式，通过模树脂对半导体元件基板以及布线构件进行了模塑，其中，模树脂在邻接的绝缘基板之间，具有从背面电极侧起的预定深度的未填充构成模树脂的树脂的凹部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.02 seconds)
