公开(公告)号：CN1411045A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02120621.X

申请日：2002-05-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村通孝 ,  岩崎俊宽 ,  畑中康道 ,  若宫敬一郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是抑制芯片的弯曲来提高凸点的接合性。本发明的半导体装置是经设置在半导体芯片1上的功能凸点2将半导体芯片1导电性地连接到芯片安装构件4上的倒装芯片结构的半导体装置，使对抗半导体芯片1的局部的弯曲力的虚设凸点3介于半导体芯片1与芯片安装构件4之间。

公开(公告)号：CN1266766C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02142575.2

申请日：2002-08-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩崎俊宽 ,  木村通孝 ,  若宫敬一郎 ,  畑中康道

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H03H3/08

Abstract: 为了在安装尺寸大的半导体芯片时确实进行超声波热压接，本发明的半导体器件包括：半导体芯片；电子部件，与半导体芯片相对配置，通过连接用导体与半导体芯片电连接；电极，分别形成在半导体芯片和电子部件相对的对置面，与连接用导体接合；将对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂；预定形状的导电性伪图形，形成在半导体芯片或所述电子部件的对置面；半导体芯片和电子部件的所述电极形成在沿半导体芯片的周边部位的位置，导电性伪图形形成在被电极包围的范围之内。可使对置面之间的温度分布均匀，能够使非导电性树脂7的粘度和温度均匀化，并且抑制超声波的衰减。本发明还提供了这种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1427471A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02142575.2

申请日：2002-08-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 岩崎俊宽 ,  木村通孝 ,  若宫敬一郎 ,  畑中康道

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H03H3/08

Abstract: 为了在安装尺寸大的半导体芯片时确实进行超声波热压接，本发明的半导体器件包括：半导体芯片1；电路基板5，与半导体芯片1相对配置，通过连接用导体4与半导体芯片1电气连接；电极盘2和端子电极6，分别形成在半导体芯片1与电路基板5相对的对置面，与连接用导体4键合；将所述对置面之间的间隙埋置所形成的非导电性树脂7；预定形状的导电性伪图形10，形成在半导体芯片1或电路基板5的对置面。可使对置面之间的温度分布均匀，能够使非导电性树脂7的粘度和温度均匀化，并且抑制超声波的衰减。