公开(公告)号：CN1154568A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96122669.2

申请日：1996-10-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 蒂哈德·马克斯 ,  川津善平 ,  早藤纪生

IPC: H01L21/00

Abstract: 目的是提供在Si衬底上边形成高品质的CaN系列化合物半导体层的半导体器件，构成是具备：Si衬底1；在Si衬底1上边形成的、由GaAs或As构成的应力吸收层2；在该应力吸收层2上边形成的由其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层3；在该缓冲层3上边形成的、其组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层4。

公开(公告)号：CN1158008A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96122899.7

申请日：1996-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 采女丰 ,  门岩薰 ,  早藤纪生 ,  紫村辉之

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7304 ,  H01L29/7371

Abstract: 提供一种晶体管单元可进行均匀的动作的异质结双极型晶体管。上述晶体管的特征是：在把在发射极电极34与集电极电极33之间具备有发射极层7，基极层5和集电极层4的多个晶体管单元15并联形成的异质结双极型晶体管中，在上述发射极层7与上述发射极电极34之间具有由AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)构成的镇流电阻层9。

公开(公告)号：CN1152794A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96112842.9

申请日：1996-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  山本佳嗣 ,  杵筑弘隆

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3245 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/365 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种可获得高可靠性的半导体器件的制造方法以及用此方法形成的高可靠性的半导体器件。在把InAlAs肖特基形成层106，在表面露出的状态下，用硫化铵溶液1将晶片浸渍后，将该肖特基形成层106在真空中进行300℃的退火，在该退火之后，在真空中在肖特基形成层106露出的表面上形成保持膜3。

公开(公告)号：CN1148734A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96109402.8

申请日：1996-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川津善平 ,  早藤纪生 ,  迪撒德·马克斯

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体光发射器件，包括一个具有前后表面的硅衬底；一个位于硅衬底前表面的第一过渡层；几个连续位于第一过渡层上的氮化镓串接化合物半导体层。可通过解理产生谐振腔的小平面，并可实现如下结构：一对电极分别置于光发射器件相对的最顶层表面和最底层表面。成本低，而且在氮化镓串接化合物半导体层生长的最初阶段，产生了大量的生长核，而这些生长核又加速了二维生长，结果获得了高质量的氮化镓串接化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1155774A

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：CN96122622.6

申请日：1996-10-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本佳嗣 ,  早藤纪生

IPC: H01S3/025 ,  H01L29/12 ,  H01L21/18

Abstract: 一种半导体器件，包括：InP衬底；沟道层以及：Alx1Ga1-x1Asy1Pz1Sb1-y1-z1(0≤x1≤1，0≤y1＜1，0＜z1≤1)电子供给层。电子亲和力小于沟道层的电子供给层中掺有n型杂质。在350℃左右的热处理中，n型AlGaAsPSb的电气特性不会改变，这样就制作出一种热稳定的、高可靠的HEMT在制作和工作过程中，其选择性几乎不随时间而变化。此外，容易高自由度地制作出一种由电子供给层和沟道层构成的、具有满意的能带结构的异质结构，从而极大地提高了设计器件的自由度。

公开(公告)号：CN1135671A

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：CN96100859.8

申请日：1996-01-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  元田隆

IPC: H01S3/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/162 ,  H01S5/164 ,  H01S5/32325 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031

Abstract: 本发明的目的是提供可在圆片状态下简便地得到窗口结构可控性良好的半导体激光装置及其制造方法。本发明的半导体激光装置包括：在具有(2，1，1)面的n型GaAs衬底26上以晶体生长方式形成晶体生长层2、10、11、12、6和7输出激光的(1，1，1)面上形成的窗口层19以及形成在晶体生长层中的接触层7上表面和n型GaAs衬底26的下表面上的电极8和9。

公开(公告)号：CN1193182A

公开(公告)日：1998-09-16

申请号：CN97123122.2

申请日：1997-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  山本佳嗣

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种在GaAs基片上生长结晶缺陷少的GaInAs层或AeInAs层的高质量半导体的异质结构及其制造方法。利用在GaAs基片上由非晶状态进行单结晶而形成的缓冲层,封闭因晶格不匹配而产生的失配位错。

公开(公告)号：CN1136720A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN96102024.5

申请日：1996-02-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  川津善平

IPC: H01S3/19 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的目的是制得一种发射从紫外到绿色光这一范围的短波长光的高性能的半导体激光二极管和提供其制造方法。其构成是先在蓝宝石基板1上边形成n型GaN接触层5，然后在此n型GaN接触层5上边形成把n型AlGaN层7、非掺杂GaN活性层8、p型AlGaN包层9、p型GaN接触层10、p型半导体反射镜11迭层起来的外延层。这样一来，蓝宝石基板1的背面和n型接触层5的面连续地构成为几乎同一平面，并在此同一平面上形成与n型接触层5连接的电极。