公开(公告)号：CN1148734A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96109402.8

申请日：1996-08-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川津善平 ,  早藤纪生 ,  迪撒德·马克斯

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/021 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体光发射器件，包括一个具有前后表面的硅衬底；一个位于硅衬底前表面的第一过渡层；几个连续位于第一过渡层上的氮化镓串接化合物半导体层。可通过解理产生谐振腔的小平面，并可实现如下结构：一对电极分别置于光发射器件相对的最顶层表面和最底层表面。成本低，而且在氮化镓串接化合物半导体层生长的最初阶段，产生了大量的生长核，而这些生长核又加速了二维生长，结果获得了高质量的氮化镓串接化合物半导体层。