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公开(公告)号:CN1638186A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410104776.4
申请日:2004-09-29
CPC classification number: H03K17/693 , H01P1/15
Abstract: 本发明提供高频开关装置。利用简单的电路构成一种绝缘特性好、小型的高频开关装置。这种高频开关装置具备:作为具有一个极和在从这个极二分支的路径的一端具有第一端口和第二端口的SPDT开关,其结构为:其SPDT(A)(12)的第二端口(12c)经由终端电阻(12d)、SPDT(B)(14)的第二端口(14c)经由终端电阻(14d)分别接地,这个SPDT(A)(12)的第一端口(12b)、SPDT(B)(14)的第一端口(14b)分别与SPDT(C)(16)的第一端口(16b)以及第二端口(16c)连接。
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公开(公告)号:CN1152794A
公开(公告)日:1997-06-25
申请号:CN96112842.9
申请日:1996-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/314 , H01L21/3245 , H01L23/3185 , H01L29/365 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可获得高可靠性的半导体器件的制造方法以及用此方法形成的高可靠性的半导体器件。在把InAlAs肖特基形成层106,在表面露出的状态下,用硫化铵溶液1将晶片浸渍后,将该肖特基形成层106在真空中进行300℃的退火,在该退火之后,在真空中在肖特基形成层106露出的表面上形成保持膜3。
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公开(公告)号:CN101820088B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201010183505.8
申请日:2004-09-29
IPC: H01P1/15 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/693 , H01P1/15
Abstract: 本发明提供高频开关装置。利用简单的电路构成一种绝缘特性好、小型的高频开关装置。这种高频开关装置具备:作为具有一个极和在从这个极二分支的路径的一端具有第一端口和第二端口的SPDT开关,其结构为:其SPDT(A)(12)的第二端口(12c)经由终端电阻(12d)、SPDT(B)(14)的第二端口(14c)经由终端电阻(14d)分别接地,这个SPDT(A)(12)的第一端口(12b)、SPDT(B)(14)的第一端口(14b)分别与SPDT(C)(16)的第一端口(16b)以及第二端口(16c)连接。
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公开(公告)号:CN1638186B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200410104776.4
申请日:2004-09-29
CPC classification number: H03K17/693 , H01P1/15
Abstract: 本发明提供高频开关装置。利用简单的电路构成一种绝缘特性好、小型的高频开关装置。这种高频开关装置具备:作为具有一个极和在从这个极二分支的路径的一端具有第一端口和第二端口的SPDT开关,其结构为:其SPDT(A)(12)的第二端口(12c)经由终端电阻(12d)、SPDT(B)(14)的第二端口(14c)经由终端电阻(14d)分别接地,这个SPDT(A)(12)的第一端口(12b)、SPDT(B)(14)的第一端口(14b)分别与SPDT(C)(16)的第一端口(16b)以及第二端口(16c)连接。
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公开(公告)号:CN101820088A
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN201010183505.8
申请日:2004-09-29
IPC: H01P1/15 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/693 , H01P1/15
Abstract: 本发明提供高频开关装置。利用简单的电路构成一种绝缘特性好、小型的高频开关装置。这种高频开关装置具备:作为具有一个极和在从这个极二分支的路径的一端具有第一端口和第二端口的SPDT开关,其结构为:其SPDT(A)(12)的第二端口(12c)经由终端电阻(12d)、SPDT(B)(14)的第二端口(14c)经由终端电阻(14d)分别接地,这个SPDT(A)(12)的第一端口(12b)、SPDT(B)(14)的第一端口(14b)分别与SPDT(C)(16)的第一端口(16b)以及第二端口(16c)连接。
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