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公开(公告)号：CN102158182B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110052044.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，当切换主功率放大器和辅助功率放大器时，能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器（10）和空载电流比主功率放大器（10）小的辅助功率放大器（20）之间切换工作。主功率放大器（10）和辅助功率放大器（20）分别具有放大RF信号的前级放大元件（12、22）、放大前级放大元件（12、22）的输出信号的后级放大元件（14、24）、驱动前级放大元件（12、22）的前级偏置电路（16、26）和驱动后级放大元件（14、24）的后级偏置电路（17、27）。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级放大元件（24）的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级偏置电路（27）的间隔S2大于等于200μm。
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公开(公告)号：CN101542897B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200680056481.1
申请日：2006-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/318 , H03F2200/366 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236 , H03H7/38
Abstract: 本发明提供一种高频放大器，该高频放大器对元件尺寸不同的两个放大元件进行并联连接，按照输出功率的大小对放大元件进行切换，特别设置了输出匹配电路，该输出匹配电路无论输出功率大时还是小时的任何情况下都匹配为特性阻抗(50欧姆)，并且提高从两个放大元件的输出侧的连接点看截止的放大元件的阻抗。结果是可以实现高输出、高效率的特性，另外，具有可以抑制被放大的信号转入到截止的放大元件侧的匹配电路的效果。
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公开(公告)号：CN1459926A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03101296.5
申请日：2003-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/193
Abstract: 功率放大器的放大部(28)包括第1～第3级放大级(422、423、425)和与第1级放大级(422)并联设置的信号传送部(58)。当将模式选择电压Vmod2设定为L电平时，输入信号(IN1800)由第1～第3级放大级(422、423、425)进行放大。这时，信号传送部(58)不进行信号传送。另一方面，当将模式选择电压Vmod2设定为H电平时，信号传送部(58)将输入信号(IN1800)经由二极管(D1)传送至晶体管(Tr2)。这时，控制电压Vmod1800被设定为L电平，第1级放大级(422)处于关断状态，功耗减小。根据以上所述，可以提供既能抑制接收频带的噪声功率，又能进行适合于GSM/EDGE模式的增益切换的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1158008A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96122899.7
申请日：1996-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7304 , H01L29/7371
Abstract: 提供一种晶体管单元可进行均匀的动作的异质结双极型晶体管。上述晶体管的特征是：在把在发射极电极34与集电极电极33之间具备有发射极层7，基极层5和集电极层4的多个晶体管单元15并联形成的异质结双极型晶体管中，在上述发射极层7与上述发射极电极34之间具有由AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)构成的镇流电阻层9。
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公开(公告)号：CN1132939A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95117767.2
申请日：1995-10-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/737
CPC classification number: H01L29/0817 , H01L27/0658 , H01L29/7304 , H01L29/7371
Abstract: 本发明为一种双极晶体管电路元件，包括：半导体基片；配制在基片上的基极层、发射极层和集电极层；由集电极、基极和发射极层构成的双极晶体管；由该基极层部分构成的基极平衡电阻；与该基极平衡电阻并联连接的基极并联电容。基极并联电容包括基极输入接区部分；设置该基极电极接区部分上的电介质膜和一个设置在电介层上的第二电极。基极平衡电阻相对于发射极平衡电阻具有较高的电阻值，所以容易大量制造，并具有好的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355345A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810088567.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，当切换主功率放大器和辅助功率放大器时，能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器(10)和空载电流比主功率放大器(10)小的辅助功率放大器(20)之间切换工作。主功率放大器(10)和辅助功率放大器(20)分别具有放大RF信号的前级放大元件(12、22)、放大前级放大元件(12、22)的输出信号的后级放大元件(14、24)、驱动前级放大元件(12、22)的前级偏置电路(16、26)和驱动后级放大元件(14、24)的后级偏置电路(17、27)。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级放大元件(24)的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件(14)和辅助功率放大器的后级偏置电路(27)的间隔S2大于等于200μm。
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公开(公告)号：CN1268055C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03101296.5
申请日：2003-01-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/193
Abstract: 功率放大器的放大部(28)包括第1～第3级放大级(422、423、425)和与第1级放大级(422)并联设置的信号传送部(58)。当将模式选择电压Vmod2设定为L电平时，输入信号(IN1800)由第1～第3级放大级(422、423、425)进行放大。这时，信号传送部(58)不进行信号传送。另一方面，当将模式选择电压Vmod2设定为H电平时，信号传送部(58)将输入信号(IN1800)经由二极管(D1)传送至晶体管(Tr2)。这时，控制电压Vmod1800被设定为L电平，第1级放大级(422)处于关断状态，功耗减小。根据以上所述，可以提供既能抑制接收频带的噪声功率，又能进行适合于GSM/EDGE模式的增益切换的功率放大器。
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公开(公告)号：CN1255939C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN01806367.5
申请日：2001-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/195 , H01L29/737 , H01L29/205
CPC classification number: H01L27/0605 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2203/21178
Abstract: 本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成。本发明的高频半导体器件适用作卫星通信、地面微波通信、移动通信等使用的高输出功率放大器。
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公开(公告)号：CN103875182A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280046746.5
申请日：2012-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F3/211 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/451 , H03F2203/7206 , H03F2203/7209
Abstract: 包括：驱动级放大器3，放大从RF输入端子1输入的RF信号；以及最终级放大器5，放大由该驱动级放大器3放大的信号，并输出放大后的信号至RF输出端子7，其中，该驱动级放大器3在硅基板11上形成，该最终级放大器5在砷化镓基板上形成。因此，能够在维持与模块的整体在砷化镓基板71上形成时同等的高频特性的同时，实现低成本化。
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公开(公告)号：CN102064776B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110052048.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/0277 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F3/195 , H03F2200/411 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种功率放大器，当切换主功率放大器和辅助功率放大器时，能够改善输出功率的上升延迟。本发明的功率放大器在主功率放大器（10）和空载电流比主功率放大器（10）小的辅助功率放大器（20）之间切换工作。主功率放大器（10）和辅助功率放大器（20）分别具有放大RF信号的前级放大元件（12、22）、放大前级放大元件（12、22）的输出信号的后级放大元件（14、24）、驱动前级放大元件（12、22）的前级偏置电路（16、26）和驱动后级放大元件（14、24）的后级偏置电路（17、27）。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级放大元件（24）的间隔S1小于等于100μm。主功率放大器的后级放大元件（14）和辅助功率放大器的后级偏置电路（27）的间隔S2大于等于200μm。
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