公开(公告)号：CN1387261A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02102428.6

申请日：2002-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 春花英世 ,  采女丰 ,  山本诚二

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明的课题是在较大面积的元件隔离层上高精度地形成具有同一特性的多个电阻器。在元件隔离层上形成的多个电阻器之间,存在至少一个扩散区,进而在各自的电阻器上配置多个电阻器和扩散区,使得电阻器与其周围对应的扩散区的距离做到彼此相等。

公开(公告)号：CN1158008A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96122899.7

申请日：1996-11-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 采女丰 ,  门岩薰 ,  早藤纪生 ,  紫村辉之

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7304 ,  H01L29/7371

Abstract: 提供一种晶体管单元可进行均匀的动作的异质结双极型晶体管。上述晶体管的特征是：在把在发射极电极34与集电极电极33之间具备有发射极层7，基极层5和集电极层4的多个晶体管单元15并联形成的异质结双极型晶体管中，在上述发射极层7与上述发射极电极34之间具有由AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)构成的镇流电阻层9。

公开(公告)号：CN1185712C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02102428.6

申请日：2002-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 春花英世 ,  采女丰 ,  山本诚二

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明的课题是在较大面积的元件隔离层上高精度地形成具有同一特性的多个电阻器。在元件隔离层上形成的多个电阻器之间，存在至少一个扩散区，进而在各自的电阻器上配置多个电阻器和扩散区，使得电阻器与其周围对应的扩散区的距离做到彼此相等。

公开(公告)号：CN1160929A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN96112497.0

申请日：1996-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和泉茂一 ,  采女丰

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/205 ,  C30B31/06

Abstract: 本发明提出一种掺杂浓度难以受衬底温度等影响，且掺杂浓度控制容易的掺杂方法，并提供能获得所希望掺杂浓度的高可靠性晶体和器件。将有机金属分子(TEGa)、氢化物(AsH3)、SiI4气体导入CBE装置生长室内，真空中放出的有机金属分子和氢化物气体在加热的衬底2上进行反应，形成半导体材料，即GaAs淀积层，同时由生长衬底表面把热能供给SiI4而热分解，Si作为载体混入GaAs晶体中，并进行N型掺杂。另外，本发明也适用于MOMBE、气体源MBE、MOCVD、MBE等的晶体生长方法。