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公开(公告)号：CN118765338A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202380022864.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明涉及用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物。本发明的蚀刻用组合物是用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物，其特征在于，包含过氧化氢(A)、硫酸(B)、唑类或其盐(C)、二醇醚类(D)、卤化物离子(E)和水(F)，过氧化氢(A)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.1～10质量％，硫酸(B)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.5～5质量％，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)之比用摩尔比表示为2以上，卤化物离子(E)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.01～3ppm。
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公开(公告)号：CN114207529A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054482.2
申请日：2020-07-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明提供：除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐，并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于，其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E)，以组合物的总量基准计，烷醇胺(A)的含量为2.5～50质量％，氢氧化季铵(B)的含量为0.5～4质量％，糖醇(C)的含量为0.5～20质量％。
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公开(公告)号：CN102687251A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080057354.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/03916 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内的在半导体基板的再布线中使用的蚀刻液；含有过氧化氢和苹果酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、苹果酸的含量为1.5~25质量%、且过氧化氢和苹果酸的摩尔比在0.2~6的范围内的在半导体基板的再布线中使用的用于选择性蚀刻铜的蚀刻液、及使用这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN102687251B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080057354.X
申请日：2010-12-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/44 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/03916 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1191 , H01L2224/11912 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/01022 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供在具有电极的半导体基板的再布线中使用的、能选择性蚀刻铜而不蚀刻镍的蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法。含有过氧化氢和柠檬酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、柠檬酸的含量为1~20质量%、且过氧化氢和柠檬酸的摩尔比在0.3~5的范围内的在半导体基板的再布线中使用的蚀刻液；含有过氧化氢和苹果酸、且过氧化氢的含量为0.75~12质量%、苹果酸的含量为1.5~25质量%、且过氧化氢和苹果酸的摩尔比在0.2~6的范围内的在半导体基板的再布线中使用的用于选择性蚀刻铜的蚀刻液、及使用这些蚀刻液的半导体装置的制造方法。
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