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公开(公告)号:CN114008495A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202080043060.5
申请日:2020-05-14
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明的线栅型偏振元件中,在以相同的朝向和相同的周期在透明的片(A)的表面上设置成一维格子状的多个槽部(C)中埋入有金属反射体(B),金属反射体(B)的平均宽度(a)为200nm以下,从片(A)表面侧至背面方向前端的金属反射体(B)的平均厚度(b)与上述平均宽度(a)之比(b/a)为4以上25以下,并且,在与片(A)表面垂直的任一截面中,金属反射体(B)的厚度方向前端部附近的形状越向前端越以直线状或平滑的曲线状逐渐变细,该越向前端越逐渐变细的部分(D)向前端方向的平均长度(c)与上述平均宽度(a)之比(c/a)为1.2以上。
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公开(公告)号:CN118765338A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202380022864.0
申请日:2023-02-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明涉及用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物。本发明的蚀刻用组合物是用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物,其特征在于,包含过氧化氢(A)、硫酸(B)、唑类或其盐(C)、二醇醚类(D)、卤化物离子(E)和水(F),过氧化氢(A)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.1~10质量%,硫酸(B)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.5~5质量%,过氧化氢(A)相对于硫酸(B)之比用摩尔比表示为2以上,卤化物离子(E)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.01~3ppm。
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公开(公告)号:CN114207529A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202080054482.2
申请日:2020-07-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明提供:除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐,并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于,其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E),以组合物的总量基准计,烷醇胺(A)的含量为2.5~50质量%,氢氧化季铵(B)的含量为0.5~4质量%,糖醇(C)的含量为0.5~20质量%。
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公开(公告)号:CN114008495B
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202080043060.5
申请日:2020-05-14
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明的线栅型偏振元件中,在以相同的朝向和相同的周期在透明的片(A)的表面上设置成一维格子状的多个槽部(C)中埋入有金属反射体(B),金属反射体(B)的平均宽度(a)为200nm以下,从片(A)表面侧至背面方向前端的金属反射体(B)的平均厚度(b)与上述平均宽度(a)之比(b/a)为4以上25以下,并且,在与片(A)表面垂直的任一截面中,金属反射体(B)的厚度方向前端部附近的形状越向前端越以直线状或平滑的曲线状逐渐变细,该越向前端越逐渐变细的部分(D)向前端方向的平均长度(c)与上述平均宽度(a)之比(c/a)为1.2以上。
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公开(公告)号:CN115428129A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202180028400.1
申请日:2021-04-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/26 , C23F1/44 , H05K3/06
Abstract: 提供一种用于连续且稳定地进行处理的蚀刻方法以及该蚀刻方法中使用的组合物,该蚀刻方法能够抑制铜布线等其它金属的溶出而快速去除由钛和/或钛合金形成的晶种层。更详细而言,提供一种用于蚀刻钛和/或钛合金的组合物以及使用了该组合物的蚀刻方法,该组合物包含过氧化氢(A)、氟化物(B)、氟化物离子以外的卤化物离子(C)和水(D),其中,以组合物的总量为基准,过氧化氢(A)的含量为0.01~0.23质量%;以组合物的总量为基准,氟化物(B)的含量为0.2~3质量%;以组合物的总量为基准,氟化物离子以外的卤化物离子(C)的含量为0.0005~0.025质量%。
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