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公开(公告)号：CN118765338A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202380022864.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明涉及用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物。本发明的蚀刻用组合物是用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物，其特征在于，包含过氧化氢(A)、硫酸(B)、唑类或其盐(C)、二醇醚类(D)、卤化物离子(E)和水(F)，过氧化氢(A)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.1～10质量％，硫酸(B)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.5～5质量％，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)之比用摩尔比表示为2以上，卤化物离子(E)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.01～3ppm。
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公开(公告)号：CN114207529A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054482.2
申请日：2020-07-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明提供：除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐，并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于，其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E)，以组合物的总量基准计，烷醇胺(A)的含量为2.5～50质量％，氢氧化季铵(B)的含量为0.5～4质量％，糖醇(C)的含量为0.5～20质量％。
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公开(公告)号：CN115428129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180028400.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
IPC: H01L21/306 , C23F1/26 , C23F1/44 , H05K3/06
Abstract: 提供一种用于连续且稳定地进行处理的蚀刻方法以及该蚀刻方法中使用的组合物，该蚀刻方法能够抑制铜布线等其它金属的溶出而快速去除由钛和/或钛合金形成的晶种层。更详细而言，提供一种用于蚀刻钛和/或钛合金的组合物以及使用了该组合物的蚀刻方法，该组合物包含过氧化氢(A)、氟化物(B)、氟化物离子以外的卤化物离子(C)和水(D)，其中，以组合物的总量为基准，过氧化氢(A)的含量为0.01～0.23质量％；以组合物的总量为基准，氟化物(B)的含量为0.2～3质量％；以组合物的总量为基准，氟化物离子以外的卤化物离子(C)的含量为0.0005～0.025质量％。
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公开(公告)号：CN110462103A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021257.1
申请日：2018-03-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明中，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明的优选方式，可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。
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公开(公告)号：CN104968838A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007128.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明提供用于蚀刻含有铜和钛的多层膜的液体组合物、和使用该液体组合物蚀刻含有铜和钛的多层膜的方法、使用该蚀刻方法的多层膜配线的制造方法、以及设置有利用该制造方法制造的多层膜配线的基板。本发明中使用的液体组合物包含(A)马来酸根离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氟化物离子供给源，且液体组合物的pH值为0～7。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855943A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380065196.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 本发明提供一种低密度的不锈钢及其制造方法、不锈钢的轻量化处理方法、对不锈钢的轻量化有用的水性组合物等。通过包括使用水性组合物对不锈钢进行轻量化处理的轻量化处理工序，经轻量化处理的不锈钢的密度小于7.4g/cm3的不锈钢的制造方法等解决了上述的课题。根据本发明，能够通过简易的方法实现不锈钢的轻量化和低密度化。
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公开(公告)号：CN103649373A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032769.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C09K13/04 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明涉及铜或以铜为主要成分的化合物的蚀刻液、以及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液的特征在于含有(A)马来酸根离子供给源、和(B)铜离子供给源。
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公开(公告)号：CN102985596A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180030089.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14
CPC classification number: C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134
Abstract: 提供一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液、以及使用其的包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包含铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻液，其中配混有(A)分子内具有两个以上羧基、且具有一个以上羟基的有机酸离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氨和/或铵离子供给源，所述蚀刻液的pH为5~8；以及使用其的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN112055759A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201980026980.3
申请日：2019-04-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。
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公开(公告)号：CN105359257B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201480033266.4
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC classification number: C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/02071 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供从由铟、镓、锌以及氧组成的氧化物(IGZO)的表面清洗和去除含铜附着物而不腐蚀IGZO半导体层、含铜布线的液体组合物，以及使用了该液体组合物的IGZO表面的清洗方法以及利用该清洗方法而清洗的基板。本发明中使用包含选自由羟基羧酸和二羧酸、或它们的盐组成的组中的一种以上且pH值为1.5～10的液体组合物。
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