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公开(公告)号：CN101276783B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810087611.9
申请日：2008-03-25
IPC: H01L21/822 , H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101276783A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087611.9
申请日：2008-03-25
IPC: H01L21/822 , H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN101034684A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710084205.2
申请日：2007-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/1443 , H01L31/0216 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造方法。在半导体基板(60)上，利用CVD法等形成硅氮化膜(86)之后，形成包括布线结构层的层叠结构(88)。在层叠结构(88)上形成在受光部上具有开口的光致抗蚀剂膜(122)，以其为蚀刻掩模进行对层叠结构(88)的蚀刻处理。对该蚀刻而言，作为确保层间绝缘膜对硅氮化膜的蚀刻选择比的种类·条件，在该蚀刻处理中使硅氮化膜(86)作为蚀刻抑制膜起作用。在开口部分(116)的底部露出的硅氮化膜(86)构成反射防止膜。从而可简化对光检测器的受光部上的布线结构层等进行蚀刻来形成开口部分时的工序。
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公开(公告)号：CN1312493C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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公开(公告)号：CN1717807A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100392862C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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公开(公告)号：CN101097933A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710110012.X
申请日：2007-06-12
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 山田哲也
IPC: H01L27/144 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/1446 , H01L31/02005 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置及其制造方法。在使用SOG膜作为层间绝缘膜的光检测器中，因受光部的上部构造层中产生的膜厚差，会引起开口部的底面不平坦，产生受光部面内的入射光量的不均匀。其解决方法是，在被布线构造所包围的四边形受光部内部形成开口部时，除去角部进行蚀刻。例如，在将开口部形成为八角形的情况下，开口部的4条边与受光部的4条边相接，开口部的其他4条边设置在比受光部的4个角部向受光部的中心部后退的位置上。
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公开(公告)号：CN101064278A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710091790.9
申请日：2007-04-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 在对光检测器的上部结构层进行蚀刻时需要提高受光部面的平坦性。本发明提供一种集成电路的制造方法，其在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分，该制造方法包括：受光部衬垫蚀刻工序，根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件，对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻；和基底层蚀刻工序，在所述受光部衬垫蚀刻工序后，切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件，对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。由此，可以实现开口部分底面的平坦性的提高，可以提高受光部面内的入射光量的均匀性。
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公开(公告)号：CN1616990A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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公开(公告)号：CN100508202C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710110012.X
申请日：2007-06-12
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 山田哲也
IPC: H01L27/144 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/1446 , H01L31/02005 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置及其制造方法。在使用SOG膜作为层间绝缘膜的光检测器中，因受光部的上部构造层中产生的膜厚差，会引起开口部的底面不平坦，产生受光部面内的入射光量的不均匀。其解决方法是，在被布线构造所包围的四边形受光部内部形成开口部时，除去角部进行蚀刻。例如，在将开口部形成为八角形的情况下，开口部的4条边与受光部的4条边相接，开口部的其他4条边设置在比受光部的4个角部向受光部的中心部后退的位置上。
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