公开(公告)号：CN1591795A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057191.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 奥田道则 ,  市桥由成 ,  山冈义和 ,  井上恭典 ,  田中友子

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Si、O和C的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和/或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有C4F6的蚀刻气体，和不含C4F6的蚀刻气体依次进行蚀刻。和/或将下述式(1)定义的蚀刻气体中的碳含有率做成为5％以下。p＝X×(Qc/Q)×100…(1)；其中，X表示氟代烃CXFY中的碳组成比；Q表示蚀刻气体的全流量；Qc表示氟代烃CXFY的流量。

公开(公告)号：CN1312493C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200410087989.0

申请日：2004-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹川一之 ,  松井良次 ,  山田哲也 ,  今井勉 ,  甲斐诚二 ,  田中友子

IPC: G02B3/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/14685 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。

公开(公告)号：CN1616990A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410087989.0

申请日：2004-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹川一之 ,  松井良次 ,  山田哲也 ,  今井勉 ,  甲斐诚二 ,  田中友子

IPC: G02B3/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/14685 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/0056 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。