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公开(公告)号：CN1581499A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410069885.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有：在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序；及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23)，在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序；将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模，对绝缘膜(21)进行蚀刻，以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序；在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序；在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序；对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序；和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。
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公开(公告)号：CN100383977C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410069885.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种可以提高受光度的固体摄像装置的制造方法。本发明的固体摄像装置的制造方法具有：在受光区域L与非受光区域B上形成绝缘膜(21)的工序；及在受光区域L上的绝缘膜上形成透镜形成用的掩模图案(23)，在非受光区域(B)上的绝缘膜(21)上形成透镜形成用的伪掩模图案(23d)的工序；将掩模图案(23)与伪掩模图案(23d)作为掩模，对绝缘膜(21)进行蚀刻，以在绝缘膜(21)上形成多个凸起部的工序；在绝缘膜(21)上形成第一透镜膜(24)的工序；在第一透镜膜(24)上形成比其蚀刻率低的平坦化膜(25)的工序；对第一透镜膜(24)及平坦化膜(25)进行深腐蚀的工序；和在第一透镜膜(24)上形成第二透镜膜(26)的工序。
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公开(公告)号：CN1312493C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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公开(公告)号：CN1717807A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100392862C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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公开(公告)号：CN1941395A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610153475.X
申请日：2006-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 一种集成电路及其制造方法，其中，在半导体基板(20)上形成硅氮化膜(42)，作为第一层布线(26)和第二层布线(28)的层间绝缘膜。在摄像部(24)中，使硅氮化膜(42)的表面形成透镜形状，从而形成密集配置有凸透镜(44)的透镜阵列。在该硅氮化膜(42)的表面成膜硅氧化膜(48)。第二层Al膜形成在硅氧化膜(48)的表面上。Al膜被从透镜阵列表面等不要部分蚀刻除去，从而形成布线(28)。由此，在使用Al布线的层间绝缘膜即硅氮化膜形成微透镜阵列的集成电路中，防止Al布线的应力迁移和透镜形状的崩裂。
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公开(公告)号：CN1616990A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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公开(公告)号：CN1645620A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行介由接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：介由形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，其上面介由接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN100461441C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行通过接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：隔着形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并排设置，其上面通过接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)上方的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并排设置间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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