公开(公告)号：CN101276783A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087611.9

申请日：2008-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 西胁智弘 ,  兼子一重 ,  山田哲也 ,  野村洋治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101276783B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810087611.9

申请日：2008-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 西胁智弘 ,  兼子一重 ,  山田哲也 ,  野村洋治

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。