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公开(公告)号：CN1645620A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行介由接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：介由形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，其上面介由接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN1312493C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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公开(公告)号：CN1717807A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100492613C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710091790.9
申请日：2007-04-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 在对光检测器的上部结构层进行蚀刻时需要提高受光部面的平坦性。本发明提供一种集成电路的制造方法，其在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分，该制造方法包括：受光部衬垫蚀刻工序，根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件，对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻；和基底层蚀刻工序，在所述受光部衬垫蚀刻工序后，切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件，对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。由此，可以实现开口部分底面的平坦性的提高，可以提高受光部面内的入射光量的均匀性。
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公开(公告)号：CN100461441C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行通过接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：隔着形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并排设置，其上面通过接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)上方的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并排设置间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN100392862C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200480001497.3
申请日：2004-04-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/148
Abstract: 一种固体摄像元件及其制造方法，在所述固体摄像元件中，电力供给线(8)覆盖分离区域(4)的上方。形成具有透光性且其表面在分离区域(4)上向着通道区域(5)成为连续凸部的上层透镜膜(24)。而且，通过使上层透镜膜(24)上方为比上层透镜膜(24)折射率更低的透光性物质，使上层透镜膜(24)在电力供给线(8)上具有棱镜的功能，能够将入射到电力供给线(8)的光导向作为受光元件区域的通道区域(5)。根据本发明，提高固体摄像元件的受光感度。
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公开(公告)号：CN101064278A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710091790.9
申请日：2007-04-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 在对光检测器的上部结构层进行蚀刻时需要提高受光部面的平坦性。本发明提供一种集成电路的制造方法，其在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分，该制造方法包括：受光部衬垫蚀刻工序，根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件，对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻；和基底层蚀刻工序，在所述受光部衬垫蚀刻工序后，切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件，对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。由此，可以实现开口部分底面的平坦性的提高，可以提高受光部面内的入射光量的均匀性。
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公开(公告)号：CN1616990A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410087989.0
申请日：2004-10-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0012 , G02B3/0056 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供一种能够形成耐热的微型透镜的微型透镜的制造方法、具有该耐热的微型透镜的固体摄像元件及固体摄像元件的制造方法。该微型透镜的制造方法包括：在基板上形成具有透光性的无机膜的工序、在与透镜形成位置对应的上述无机膜上的位置形成抗蚀剂膜的工序、蚀刻上述无机膜上的未形成上述抗蚀剂膜的部分的工序、去除残存的上述抗蚀剂膜的工序、对通过去除上述抗蚀剂膜的上述蚀刻而形成图形的无机膜照射惰性气体离子的工序(F)。
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