-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101439898A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810188703.6
申请日：2008-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B01D71/26 , B01D61/147 , B01D65/02 , B01D67/0088 , B01D2311/04 , B01D2311/08 , B01D2315/06 , B01D2321/04 , B01D2321/185 , B01D2323/283 , C02F1/5236 , C02F1/66 , C02F11/121 , C02F2101/14 , C02F2103/346 , C02F2209/003 , C02F2209/06 , B01D2311/12 , B01D2311/2646 , B01D2311/2649
Abstract: 本发明提供一种氢氟酸处理装置，其在含氢氟酸的废水中添加钙而除去氟化物离子，在该装置中，需调整被处理水的pH，但在具有钙和氟化物离子的反应槽中调整pH，则处理效率降低。另外，pH计直接暴露于含有氢氟酸的废水中，则pH计的传感器易损坏。在向pH调整部的处理槽中加入氢氟酸时加入碱性药剂，使处理槽内第一被处理水pH比废水的大。另外，在处理槽上连接第三路径P3(循环路径)，使第一被处理水循环并调整pH，直至生成pH值在所希望范围的第二被处理水。由于将调整pH后的第二被处理水转移到与钙反应的反应槽中，可防止处理效率的降低。另外，在循环路径上设置pH计，而不是直接暴露于废水中，可保护其不受氢氟酸影响。
-
公开(公告)号：CN1453859A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03123267.1
申请日：2003-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05K3/0052 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/19105 , H05K1/056 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2201/09745 , H05K2203/0228 , H05K2203/1572 , H05K2203/302 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合集成电路装置，进行混合集成电路装置1的小型化。在表面设有绝缘层11的电路衬底10的表面形成导电图案12。导电图案12形成在电路衬底的整个面上。具体地说，在自电路衬底10的周端起2mm以内的部分也形成有导电图案12。可将散热片13A等具有高度的电路元件13配置在电路衬底10的周端附近。这样，通过构成混合集成电路装置1可提高混合集成电路的集成度。因此，在构成与现有技术同等的电路时，可减小混合集成电路装置整体的大小。
-
公开(公告)号：CN1453857A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03123268.X
申请日：2003-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/481 , H01L21/4878 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19105 , H05K1/056 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2201/09745 , H05K2203/0228 , H05K2203/1572 , H05K2203/302 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合集成电路装置的制造方法，利用切割自一张金属衬底(10A)制造多个电路衬底(10)。且其包括：准备在表面上形成有绝缘层(11)的金属衬底(10A)的工序；在所述绝缘层(11)的表面形成多个导电图案(12)的工序；在金属衬底(10B)的反面形成格子状槽(20)的工序；在所述导电图案(12)上组装混合集成电路的工序；通过将没有驱动力的圆切割器(41)压接在金属衬底(10B)的表面的与所述槽(20)对应的位置并使其旋转，切除金属衬底(10B)的残留的厚度部分和所述绝缘层(11)，并分离单个电路衬底(10)的工序。
-
公开(公告)号：CN100521167C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03123268.X
申请日：2003-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/481 , H01L21/4878 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19105 , H05K1/056 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2201/09745 , H05K2203/0228 , H05K2203/1572 , H05K2203/302 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合集成电路装置的制造方法，利用切割自一张金属衬底(10A)制造多个电路衬底(10)。且其包括：准备在表面上形成有绝缘层(11)的金属衬底(10A)的工序；在所述绝缘层(11)的表面形成多个导电图案(12)的工序；在金属衬底(10B)的反面形成格子状槽(20)的工序；在所述导电图案(12)上组装混合集成电路的工序；通过将没有驱动力的圆切割器(41)压接在金属衬底(10B)的表面的与所述槽(20)对应的位置并使其旋转，切除金属衬底(10B)的残留的厚度部分和所述绝缘层(11)，并分离单个电路衬底(10)的工序。
-
公开(公告)号：CN1310316C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03123267.1
申请日：2003-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05K3/0052 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/19105 , H05K1/056 , H05K3/284 , H05K2201/09036 , H05K2201/0909 , H05K2201/09745 , H05K2203/0228 , H05K2203/1572 , H05K2203/302 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种混合集成电路装置，进行混合集成电路装置(1)的小型化。在表面设有绝缘层(11)的电路衬底(10)的表面形成导电图案(12)。导电图案(12)形成在电路衬底的整个面上。具体地说，在自电路衬底(10)的周端起2mm以内的部分也形成有导电图案(12)。可将散热片(13A)等具有高度的电路元件(13)配置在电路衬底(10)的周端附近。这样，通过构成混合集成电路装置(1)可提高混合集成电路的集成度。因此，在构成与现有技术同等的电路时，可减小混合集成电路装置整体的大小。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.017 seconds)
