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公开(公告)号：CN100481470C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1601743A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN100466248C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN100461441C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行通过接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：隔着形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并排设置，其上面通过接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)上方的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并排设置间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN1645620A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行介由接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：介由形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，其上面介由接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN1595654A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410074262.9
申请日：2004-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，可以在基板的端部附近提高灵敏度特性。该固体摄像装置，具备：在基板上形成的受光部；滤色层；透镜，形成在所述基板与所述滤色层之间，具有相对于所述受光部的中心错开规定距离地配置的透镜中心，用于把光聚到所述受光部上。
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