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公开(公告)号：CN1761070A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510113588.2
申请日：2005-10-17
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 海田孝行
IPC: H01L29/762 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1485 , H01L29/76883
Abstract: 本发明提供一种可抑制电子的传输效率变差的固体摄像装置。该固体摄像装置包括：可储存电子和空穴的第1导电型的第1杂质区域；按照具有与该第1杂质区域重叠的区域方式形成的第2导电型的第2杂质区域；传输电极，其按照至少从上述半导体衬底的第1杂质区域上开始，覆盖第1杂质区域和第2杂质区域重叠的区域的方式而延伸形成。
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公开(公告)号：CN1645620A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行介由接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：介由形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并设，其上面介由接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并设间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN100394609C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510099187.6
申请日：2005-09-07
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 海田孝行
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可提高输出信号的检测灵敏度的固体摄像装置。该固体摄像装置备有：形成在半导体基板上的第1栅电极；在半导体基板上与第1栅电极间隔第1距离而形成并流入信号电荷的第1杂质区域；和与第1杂质区域间隔第2距离而形成，并用于排出从第1杂质区域取出电压信号后的不需要的信号电荷的第2栅电极。第1杂质区域和第1栅电极之间的上述第1距离比第1杂质区域和第2栅电极之间的第2距离还大。
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公开(公告)号：CN101068302A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109934.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H04N3/15 , H04N5/335 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种能防止因信息电荷漏出到其他沟道区域而导致画质劣化的摄像装置该摄像装置，具备：摄像部，其在基板上的受光区域中，配置多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷并进行蓄积的受光像素而形成；蓄积部，其将从所述摄像部垂直转送来的信息电荷暂时蓄积；以及，转送部，其对蓄积于所述蓄积部中的信息电荷进行转送，所述蓄积部中包含的各像素的栅极面积，形成得比所述摄像部中包含的各像素的栅极面积大。
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公开(公告)号：CN1601743A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100466248C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410082561.7
申请日：2004-09-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/00
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够简化制造工序的半导体装置。该半导体装置具有：与包含电路的半导体芯片的上面接触地形成的、由单一材料构成的第1绝缘膜；与第1绝缘膜的上面接触地形成的第1布线；从半导体芯片的侧面沿下面延伸地形成的、连接在通过去除第1绝缘膜的一部分而露出的第1布线的下面的第2布线。
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公开(公告)号：CN100461441C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510004237.8
申请日：2005-01-07
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L21/76838 , H01L27/14603 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种在缩小半导体装置的情况下，能进行通过接触孔连接的配线的更稳定的电连接的半导体装置及其制造方法。以以下的形态形成第2电极(14)：隔着形成于第1电极(12)表面上的绝缘膜(13)，其一部分在第1电极(12)间，其他部分重叠在第1电极(12)上方的方式并排设置，其上面通过接触孔(15a)和上层配线连接。而且，在将形成于第1电极(12)与第2电极(14)之间的绝缘膜(13)的膜厚设为t1，将形成于第1电极(12)上方的第2电极(14)的膜厚设为t2，将这些第1电极的并排设置间隔设为S时，设定为「S＜(2t1+2t2)」的关系。
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公开(公告)号：CN100345441C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510056308.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/372 , H01L27/1485 , H04N5/3454 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种能解决在摄像装置中的像素混合时产生的不需要的电子流增大、转送效率降低问题的发明。摄像装置(10)中，在半导体基板的受光区域上，多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷后进行蓄积的受光像素配置成矩阵状形成摄像部(12)。蓄积部(14)，将从摄像部(12)垂直转送来的信息电荷暂时蓄积。水平转送部(16)，将蓄积于蓄积部(14)中的信息电荷以行为单位进行水平转送。驱动部(19)，对垂直转送进行控制。通过驱动部(19)的控制，实现摄像部(12)中包含的多个受光像素之中的任一个受光像素的信息电荷、在整个摄像期间中都排出到半导体基板，并且在电荷转送时对两个以上的受光像素进行像素混合。
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公开(公告)号：CN1747177A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099187.6
申请日：2005-09-07
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 海田孝行
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可提高输出信号的检测灵敏度的固体摄像装置。该固体摄像装置备有：形成在半导体基板上的第1栅电极；在半导体基板上与第1栅电极间隔第1距离而形成并流入信号电荷的第1杂质区域；和与第1杂质区域间隔第2距离而形成，并用于排出从第1杂质区域取出电压信号后的不需要的信号电荷的第2栅电极。第1杂质区域和第1栅电极之间的上述第1距离比第1杂质区域和第2栅电极之间的第2距离还大。
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公开(公告)号：CN1671186A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510056308.9
申请日：2005-03-16
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H04N5/372 , H01L27/1485 , H04N5/3454 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供一种能解决在摄像装置中的像素混合时产生的不需要的电子流增大、转送效率降低问题的发明。摄像装置(10)中，在半导体基板的受光区域上，多个将摄像期间中的入射光转换为信息电荷后进行蓄积的受光元素配置成矩阵状形成摄像部(12)。蓄积部(14)，将从摄像部(12)垂直转送来的信息电荷暂时蓄积。水平转送部(16)，将蓄积于蓄积部(14)中的信息电荷以行为单位进行水平转送。驱动部(19)，对垂直转送进行控制。通过驱动部(19)的控制，实现摄像部(12)中包含的多个受光像素之中的任一个受光像素的信息电荷、在整个摄像期间中都排出到半导体基板，并且在电荷转送时对两个以上的受光像素进行像素混合。
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