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公开(公告)号：CN101236356B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10-70重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、0.5-10重量份的光-酸产生剂、包括至少一种式2单元的5-50重量份的溶解抑制剂和10-90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、光-酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以下结构：[式1]其中R为甲基，[式2]其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN1873534B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2-醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1873534A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2－醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN101236356A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10－70重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、0.5－10重量份的光－酸产生剂、包括至少一种式2单元的5－50重量份的溶解抑制剂和10－90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、光－酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以上结构，其中R为甲基，其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN1439118A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1213342C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F3/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号：CN103019050A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210357232.3
申请日：2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1-C5非基于醚的烷基。
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公开(公告)号：CN1936705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610144771.3
申请日：2006-08-23
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/105 , H01L21/32139 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 光致抗蚀剂组合物包含约10～70％重量的含有苯酚-基聚合物的粘合剂树脂、约0.5～10％重量的光-酸发生剂、约1～20％重量的交联剂、约0.1～5％重量的染料和约10～80％重量的溶剂。该光致抗蚀剂组合物可以应用于例如制备TFT基底的方法。
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公开(公告)号：CN100501571C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200410028333.1
申请日：2004-01-03
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0048
Abstract: 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物，其包含分子量为2000～12000的酚醛清漆树脂、重氮化物光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物解决了在用于大型基底玻璃的MMN涂布机中出现的污染问题，并提高了涂层性能，因此它能够在工业上应用，并预期明显提高生产率。
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公开(公告)号：CN103019050B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201210357232.3
申请日：2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。
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