公开(公告)号：CN1213342C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01811690.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 东进半导体化学株式会社

Inventor： 李其范 ,  朴美仙 ,  金钟民 ,  金柄郁 ,  吴昌一

IPC: G03F3/30

CPC classification number: G01N21/359 ,  C23F1/00 ,  C23F1/46 ,  G01N21/3577 ,  G11B23/505 ,  H01L21/32134

Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。

公开(公告)号：CN1439118A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811690.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 东进半导体化学株式会社

Inventor： 李其范 ,  朴美仙 ,  金钟民 ,  金柄郁 ,  吴昌一

IPC: G03F7/30

CPC classification number: G01N21/359 ,  C23F1/00 ,  C23F1/46 ,  G01N21/3577 ,  G11B23/505 ,  H01L21/32134

Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。