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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1873534B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2-醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1873534A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2－醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN101281369B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810091113.1
申请日：2008-04-02
CPC classification number: G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法，该光刻胶组合物包括约0.5-约20重量份的光致产酸剂、约10-约70重量份的含有羟基的酚醛清漆树脂、约1-约40重量份的交联剂、以及约10-约150重量份的溶剂，其中该交联剂包括烷氧基甲基三聚氰胺化合物。
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公开(公告)号：CN101295135A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810127707.3
申请日：2008-04-14
CPC classification number: G03F7/0382 , H01L21/312 , H01L27/1214 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物和使用其制造薄膜晶体管基底的方法。在一实例中，光刻胶组合物包括约1到约70重量份的含有由右面化学式1代表的重复单元的第一粘合剂树脂、约1到约70重量份的含有由右面化学式2代表的重复单元的第二粘合剂树脂、约0.5到约10重量份的光致产酸剂、约1到约20重量份的交联剂和约10到约200重量份的溶剂，在式中R1和R2独立地代表具有1到5个碳原子的烷基，n和m独立地代表自然数。该光刻胶组合物可改善光刻胶图案的耐热性和粘附能力。
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公开(公告)号：CN101281369A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810091113.1
申请日：2008-04-02
CPC classification number: G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128
Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物及使用其形成光刻胶图案的方法，该光刻胶组合物包括约0.5－约20重量份的光致产酸剂、约10－约70重量份的含有羟基的酚醛清漆树脂、约1－约40重量份的交联剂、以及约10－约150重量份的溶剂，其中该交联剂包括烷氧基甲基三聚氰胺化合物。
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