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公开(公告)号：CN100474125C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN01811689.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G01N21/359 , G01N21/3563 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束，则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反，如果该剥离剂的寿命还没有结束，则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。
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公开(公告)号：CN1439118A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号：CN1213342C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN01811690.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F3/30
CPC classification number: G01N21/359 , C23F1/00 , C23F1/46 , G01N21/3577 , G11B23/505 , H01L21/32134
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束，则利用新腐蚀剂替换该腐蚀剂。相反，如果该腐蚀剂的寿命还没有结束，则将该腐蚀剂输送到下一个金属层蚀刻过程。以同样的方式还可以将该分析技术应用于腐蚀剂再生过程。
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公开(公告)号：CN1439120A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811689.2
申请日：2001-03-27
Applicant: 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G01N21/359 , G01N21/3563 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31133
Abstract: 在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中，首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后，通过将分析的成分与基准成分进行比较，确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束，则利用新剥离剂替换该剥离剂。相反，如果该剥离剂的寿命还没有结束，则将该剥离剂输送到下一个光致抗蚀剂剥离过程。还可以将该分析技术以同样方式应用于光致抗蚀剂剥离剂再生过程。
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