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公开(公告)号：CN101236356B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10-70重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、0.5-10重量份的光-酸产生剂、包括至少一种式2单元的5-50重量份的溶解抑制剂和10-90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱-可溶苯酚类聚合物、光-酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以下结构：[式1]其中R为甲基，[式2]其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN101236356A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006730.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/118
Abstract: 能够形成高清晰度图案的无需额外的加热处理的光致抗蚀剂组合物，其包含包括至少一种式1单元的10－70重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、0.5－10重量份的光－酸产生剂、包括至少一种式2单元的5－50重量份的溶解抑制剂和10－90重量份的溶剂，其中上述组分的量是基于总共100重量份的碱－可溶苯酚类聚合物、光－酸产生剂、溶解抑制剂和溶剂，和其中式1和式2具有以上结构，其中R为甲基，其中R1、R2和R3相同或不同，并为氢或叔丁基乙烯醚保护基。
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公开(公告)号：CN1873534B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2-醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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公开(公告)号：CN1873534A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610083540.6
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 东进半导体化学株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 一种用于有机层图样的光敏树脂组合物，包括：约100重量份的基于丙烯酰基的共聚物，以及约5重量份至约100重量份的1，2－醌重氮化合物。基于丙烯酰基的共聚物可通过使下列物质共聚来制备：以基于丙烯酰基的共聚物总重量为基准，重量百分比约5％至约60％的基于羧酸异冰片酯的化合物，重量百分比约10％至约30％的带有环氧基团的不饱和化合物，重量百分比约20％至约40％的基于烯烃的不饱和化合物，以及重量百分比约10％至约40％的选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、及其混合物的其中之一。还提供了利用该光敏树脂组合物制造TFT基板和共电极基板的方法。有利地，有机层图样具有山形结构，该山形结构具有改善的局部平整度而没有凹入和凸起结构。
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