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公开(公告)号：CN101024882B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610064332.1
申请日：2006-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/24 , H01L21/306
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , H01L21/02057 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水；其中，氢氟酸的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；醋酸的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；醋酸铵的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；碘氧化剂的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；以及，水的含量为90wt％或更少。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。
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公开(公告)号：CN101024882A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610064332.1
申请日：2006-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/24 , H01L21/306
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , H01L21/02057 , H01L21/02063
Abstract: 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。
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公开(公告)号：CN117936541A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311371661.0
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括在衬底的第一区域上的第一晶体管，以及在衬底的第二区域上的第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第一半导体沟道层中的每一个上的第一界面绝缘层、第一下高κ电介质层和第一复合电介质层。第二晶体管包括第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第二半导体沟道层中的每一个上的第二界面绝缘层、第二下高κ电介质层、第二复合电介质层和第二上高κ电介质层。第一下高κ电介质层和第二下高κ电介质层包括第一金属元素，第二上高κ电介质层包括第二金属元素，并且第一复合电介质层和第二复合电介质层包括第一金属元素和第二金属元素两者。
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公开(公告)号：CN109473473A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811041770.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。
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公开(公告)号：CN109473473B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201811041770.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504785A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211280701.6
申请日：2022-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源图案；沟道图案，其位于有源图案上并且包括竖直地堆叠并且彼此间隔开的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到半导体图案；栅电极，其位于半导体图案上并且在第一方向上延伸；以及栅极绝缘层，其位于半导体图案与栅电极之间。半导体图案中的第一半导体图案包括在第一方向上的相对的侧表面、以及底表面和顶表面。栅极绝缘层覆盖相对的侧表面以及底表面和顶表面，并且包括位于第一半导体图案的相对的侧表面中的一个上的第一区域以及位于第一半导体图案的顶表面和底表面中的一个上的第二区域，并且第一区域的厚度可以大于第二区域的厚度。
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公开(公告)号：CN104658593B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410659744.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁存储单元和磁存储器装置。磁存储单元包括磁隧道结和第一电极，所述第一电极通过第一导电结构电耦合至所述磁隧道结。所述第一导电结构包括阻挡层和在阻挡层与磁隧道结之间延伸的晶种层。所述阻挡层形成为非晶金属化合物。在一些实施例中，阻挡层是经热处理的层，并且在热处理期间和之后保持阻挡层的非晶状态。
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公开(公告)号：CN104700882A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
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公开(公告)号：CN103682084A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN118366960A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311592618.7
申请日：2023-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/41
Abstract: 一种集成电路器件包括：绝缘结构；源极/漏极区，位于所述绝缘结构上；成对的底半导体片，在第一水平方向上彼此间隔开，所述源极/漏极区位于所述成对的底半导体片之间；成对的沟道区，与所述绝缘结构间隔开，所述底半导体片位于所述成对的沟道区与所述绝缘结构之间；成对的栅极线，位于所述底半导体片上并且分别在所述成对的沟道区上延伸，并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上纵长地延伸；以及背侧接触结构，延伸穿过所述绝缘结构以接触所述源极/漏极区的底表面，所述背侧接触结构包括在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极/漏极区增大的第一接触部分和在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极/漏极区减小的第二接触部分。
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