公开(公告)号：CN109473473B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201811041770.5

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  金宰中 ,  张镇圭 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  李东洙 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。

公开(公告)号：CN109524468B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201811085088.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  李东洙 ,  金相溶 ,  张镇圭 ,  郑元根 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值

公开(公告)号：CN109524468A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811085088.6

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  李东洙 ,  金相溶 ,  张镇圭 ,  郑元根 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一晶体管，该第一晶体管具有第一阈值电压并包括第一沟道、连接到第一沟道的相反的侧壁的第一源极/漏极层、以及围绕第一沟道并包括顺序堆叠的第一栅极绝缘图案、第一阈值电压控制图案和第一功函数金属图案的第一栅极结构。该半导体器件包括第二晶体管，该第二晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，并包括第二沟道、连接到第二沟道的相反的侧壁的第二源极/漏极层、以及围绕第二沟道并包括顺序堆叠的第二栅极绝缘图案、第二阈值电压控制图案和第二功函数金属图案的第二栅极结构。第二阈值电压控制图案的厚度等于或小于第一阈值电压控制图案的厚度。

公开(公告)号：CN112018170A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201911394517.2

申请日：2019-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  李灿珩 ,  张镇圭 ,  金洛焕 ,  李东洙

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。

公开(公告)号：CN109473473A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811041770.5

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元根 ,  金宰中 ,  张镇圭 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  李东洙 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/423

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个第一半导体图案，垂直堆叠在衬底上并彼此垂直间隔开；以及第一栅电极，围绕所述多个第一半导体图案。第一栅电极包括：第一功函数金属图案，在所述多个第一半导体图案中的各个第一半导体图案的顶表面、底表面和侧壁上；阻挡图案，在第一功函数金属图案上；以及第一电极图案，在阻挡图案上。第一栅电极具有在所述多个第一半导体图案中的相邻的第一半导体图案之间以及在所述多个第一半导体图案中的最下面的第一半导体图案与所述衬底之间的第一部分。阻挡图案包括包含硅的金属氮化物层。阻挡图案和第一电极图案与第一部分间隔开。

公开(公告)号：CN107799516B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN107799516A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710762460.1

申请日：2017-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰中 ,  蔡荣锡 ,  金相溶 ,  罗勋奏 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0924 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7845 ,  H01L27/0251

Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、第二纳米线、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一金属层和第二金属层。第一栅极绝缘层可以沿着第一纳米线的周界。第二栅极绝缘层可以沿着第二纳米线的周界。第一金属层可以沿着第一纳米线的周界在第一栅极绝缘层的顶表面上。第一金属层可以具有第一晶粒尺寸。第二金属层可以沿着第二纳米线的周界在第二栅极绝缘层的顶表面上。第二金属层可以具有不同于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN104241367A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410232888.1

申请日：2014-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李惠兰 ,  姜尚范 ,  金宰中 ,  朴文圭 ,  宋在烈 ,  李浚熙 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。第一栅电极包括第一栅极绝缘膜和第一功能膜，第一栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸并远离衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽，第一功能膜填充第一沟槽。第二栅电极包括第二栅极绝缘膜、第二功能膜和金属区，第二栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸的侧壁部分，从而限定具有与第一宽度不同的第二宽度的第二沟槽，第二功能膜适形于第二沟槽中的第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽，金属区在第三沟槽中。第一宽度可小于第二宽度。