-
公开(公告)号：CN109671645B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
-
公开(公告)号：CN115768239A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211067312.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。
-
公开(公告)号：CN106803532B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
-
公开(公告)号：CN111180577A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
-
公开(公告)号：CN104282832B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410291400.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282832A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410291400.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01L43/08
Abstract: 提供了一种磁性存储装置及其形成方法。该磁性存储装置可以包括自由磁性结构，隧道势垒层和钉扎磁性结构，其中，隧道势垒层位于自由磁性结构和钉扎磁性结构之间。钉扎磁性结构可以包括第一钉扎层和第二钉扎层以及位于第一钉扎层和第二钉扎层之间的交换耦合层。第二钉扎层可以位于第一钉扎层和隧道势垒层之间，第二钉扎层可以包括结磁性层以及位于结磁性层和交换耦合层之间的缓冲层。缓冲层可以包括包含非磁性金属元素的材料的层。
-
公开(公告)号：CN109560191B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811060554.5
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。
-
-
公开(公告)号：CN107681046B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201710650619.0
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。
-
公开(公告)号：CN111261771A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910733076.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.047 seconds)
