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公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN102956813B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN104700882A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
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公开(公告)号：CN103682084A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
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公开(公告)号：CN108023015B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201710983541.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开磁存储器件。磁存储器件包括参考磁结构、自由磁结构、以及在参考磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒图案。参考磁结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括邻近交换耦合图案的第一磁图案、邻近隧道势垒图案的第二磁图案、在第一和第二磁图案之间的第三磁图案、在第一和第三磁图案之间的第一非磁图案、以及在第二和第三磁图案之间的第二非磁图案。第一非磁图案具有与第二非磁图案不同的晶体结构，且第三磁图案的至少一部分是非晶的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956813A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285196.4
申请日：2012-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G06F13/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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公开(公告)号：CN118301555A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410012546.2
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 徐亨旼 , 金来薰 , 朴相奂 , 萨蒂什·库马尔·雷迪·帕利
IPC: H04W4/10 , H04W4/80 , H04Q5/24 , H04L65/4061
Abstract: 本公开提供了使用短程无线通信网络提供对讲机服务的电子设备。本公开涉及一种提供对讲机服务的电子设备。一个示例电子设备包括通信芯片和处理器，通信芯片包括用于支持蓝牙通信的蓝牙电路，处理器包括用于通过使用蓝牙电路与包括多个蓝牙设备的对讲机组执行对讲机操作的对讲机电路。对讲机电路包括：对讲机控制电路，被配置为生成与对讲机操作相关的设置信息；以及对讲机处理电路，被配置为基于设置信息设置用于对讲机操作的多个操作的参数的值，并且通过多个操作处理从对讲机组接收的第一对讲机数据来生成第二对讲机数据。
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公开(公告)号：CN117062510A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310530454.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种磁致电阻存储器件和包括该磁致电阻存储器件的半导体器件，该磁致电阻存储器件包括：下电极；在下电极上的下磁性材料层；在下磁性材料层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的上磁性材料层；盖结构，在上磁性材料层上，包括交替层叠的第一层和第二层；在盖结构上的盖导电层；以及在盖导电层上的上电极，其中第一层包括含非磁性材料的第一材料，第二层包括含磁性材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN114824061A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111596582.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
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公开(公告)号：CN107026233B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610902615.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：在基板上的自由磁图案；在自由磁图案上的参考磁图案，参考磁图案包括第一被钉扎图案、第二被钉扎图案以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案；在参考磁图案和自由磁图案之间的隧道势垒图案；在隧道势垒图案和第一被钉扎图案之间的极化增强磁图案；和在极化增强磁图案和第一被钉扎图案之间的插入图案，其中第一被钉扎图案包括交替地层叠的第一铁磁图案和反铁磁交换耦合图案。
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