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公开(公告)号：CN117936541A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311371661.0
申请日：2023-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括在衬底的第一区域上的第一晶体管，以及在衬底的第二区域上的第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第一半导体沟道层中的每一个上的第一界面绝缘层、第一下高κ电介质层和第一复合电介质层。第二晶体管包括第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第二半导体沟道层中的每一个上的第二界面绝缘层、第二下高κ电介质层、第二复合电介质层和第二上高κ电介质层。第一下高κ电介质层和第二下高κ电介质层包括第一金属元素，第二上高κ电介质层包括第二金属元素，并且第一复合电介质层和第二复合电介质层包括第一金属元素和第二金属元素两者。
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